При учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронам уточнены две известные модели расчета критической концентрации N_C перехода диэлектрик-металл для температуры T->0 K в зависимости от боровского радиуса a_H изолированной примеси. В одной модели переход при N_C1 объясняется появлением делокализованных электронов при выталкивании примесной зоны в зону разрешенных энергий за счет уменьшения энергии сродства ионизированных примесей к электрону (дырке). В другой - неограниченным возрастанием статической диэлектрической проницаемости кристалла при увеличении концентрации атомов примеси до N_C2. Полученные аппроксимации N^1/3_C1a_H~0.24 и N^1/3_C2a_H~0.20 для степени компенсации K=0.01 описывают известные экспериментальные данные при 1<a_H<10 nm.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.