Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгенодифрактометрические исследования изменений структуры приповерхностных слоев кремния в процессе лазерной диффузии бора
1Сыктывкарский государственный университет им. Питирима Сорокина, Сыктывкар, Россия 
Поступила в редакцию: 8 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Методами кривых дифракционного отражения и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследовано влияние лазерной диффузии бора на структуру приповерхностных слоев монокристаллов кремния. Путем варьирования параметров задачи численными методами определены профили распределения деформации и статического фактора Дебая-Валлера.
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, М. (1990). 216 с
- Д. Шоу. Атомная диффузия в полупроводниках. Мир, М. (1975). 462 с
- Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. (1990). 318 с
- В.Е. Борисенко. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Наука и техника. (1992). 248 с
- С.Г. Кияк. Изв. АН СССР 53, 3, 417 (1989)
- В.И. Фистуль, А.М. Павлов. ФТП 17, 5, 854 (1983)
- R.T. Young, J. Narayan. Appl. Phys. Lett. 33, 1, 14 (1978)
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Наука, М. (1982). 208 с
- А.А. Завьялова, Р.М. Имамов, М.В. Ковальчук, Ю.В. Ковальчук, А.А. Ломов. Письма в ЖТФ 8, 11, 653 (1982)
- В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Письма в ЖТФ 18, 8, 77 (1992)
- В.А. Бушуев, А.П. Петраков. ФТТ 35, 2, 355 (1993)
- А.М. Афанасьев, П.А. Александров, Р.М. Имамов. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. Наука, М. (1989). 152 с
- V. Holy, J. Kubena. Czech. J. Phys. B32, 7, 750 (1982)
- R.N. Kyutt, P.V. Petrashen, L.M. Sorokin. Phys. Stat. Sol (a) 60, 2, 381 (1980)
- V.G. Kohn, M.V. Kovalchuk, R.M. Imamov, E.E. Lobanovich. Phys. Stat. Sol. (a) 64, 2, 435 (1981)
- В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Кристаллография 40, 6, 1043 (1995)
- В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Кристаллография 40, 6, 1050 (1995)
- М.А. Андреева, С.Ф. Борисова, С.А. Степанов. Поверхность, 4, 5 (1985)
- В.А. Бушуев. ФТТ 31, 11, 70 (1989)
- А.П. Петраков, В.А. Бушуев. Письма в ЖТФ 19, 19, 92 (1993)
- В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Поверхность, 9, 64 (1992)
- W.R. Runyan. Silikon Semiconductor Technologe. McGraw-Hill, N.Y. (1965). P. 344
- M. Servidori, A. Zani, G. Garulli. Phys. Stat. Sol. (a) 70, 2, 691 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
