Фазовый переход и диэлектрические свойства в кристаллах Li2-xNaxGe4O9 (0.2=< x=<0.3)
Волнянский Д.М.1, Кудзин А.Ю.2, Волнянский М.Д.2
1Днепропетровский национальный университет железнодорожного транспорта, Днепропетровск, Украина
2Днепропетровский национальный университет, Днепропетровск, Украина
Email: mdvoln@ff.dsu.dp.ua
Поступила в редакцию: 27 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрических кристаллов Li2-xNaxGe4O9 (0.2=< x=<0.3) измерена в области температур фазового перехода. Исследованы зависимости varepsilon(T) для различных значений приложенного поля E= и зависимости varepsilon(E=)T при фиксированной температуре в кристаллах Li2-xNaxGe4O9 с Tc>300 K и Tc<300 K. Показано, что диэлектрические свойства кристаллов с Tc<300 K можно описать в рамках теории Ландау для фазовых переходов второго рода, а поведение кристаллов с Tc>300 K не описывается этой теорией. Полученные результаты ведут к заключению о том, что изменение свойств кристаллов с Tc>300 K, возможно, связано с изменением структуры исследуемых кристаллов, вызванном изменением соотношения атомов Li и Na. PACS: 77.84.Bw, 77.80.Bh, 77.22.Ch
- H. Vollenkle, H. Nowotny. Monats Chem. 100, 79 (1969)
- Р.Г. Матвеева, В.В. Илюхин, Н.В. Белов. ДАН СССР 213, 3, 584 (1973)
- H. Vollenkle, A. Wittmann, H. Nowotny. Monats Chem. 101, 56 (1970)
- M. Wada, M. Shibata, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jpn. 52, 9, 2981 (1983)
- М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин. ФТТ 33, 10, 3160 (1991)
- M. Wada, Y. Yamashita, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jpn. 62, 12, 4503 (1993)
- Y. Iwata, N. Koyano, M. Machida, M. Wada, A. Sawada. J. Korean Phys. Soc. 32, S195 (1998)
- K. Morikawa, T. Atake, M. Wada, T. Yamaguchi. J. Phys. Soc. Jpn. 67, 6, 1994 (1998)
- S. Kamba, E. Buixaderas, I. Gregoba, J. Petzelt, T. Yamaguchi, M. Wada. J. Korean Phys. Soc. 32, S500 (1998)
- E. Buixaderas, S. Kamba, I. Gregoba, P. Vanek, J. Petzelt, T. Yamaguchi, M. Wada. Phys. Stat. Sol. 214, 441 (1999)
- М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин. ФТТ 33, 6, 1903 (1991)
- М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин, В.Ф. Катков. ФТТ 34, 1, 309 (1992)
- М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин, Д.М. Волнянский. ФТТ 36, 9, 2785 (1994)
- Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 976 с
- T. Yamaguchi, T. Tomita, N. Ikarashi. J. Korean Phys. Soc. 29, S709 (1996)
- А.Ю. Кудзин, Д.М. Волнянский. ФТТ 41, 6, 1070 (1999)
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с
- R. Cach, I. Cebula, M.D. Volnyanskii. Mater. Sci. Eng. B 90, 1, 72 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
