Вышедшие номера
Исследование лазерно-индуцированного дефектообразования в кристаллах CdTe методом резерфордовского обратного рассеяния
Головань Л.А.1, Кашкаров П.К.1, Лакеенков В.М.2, Сосновских Ю.Н.1, Тимошенко В.Ю.1, Чеченин Н.Г.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Методом резерфордовского обратного рассеяния изучены процессы образования дефектов в приповерхностном слое CdTe при импульсном лазерном облучении. Установлено, что формирование центров рассеяния происходит только при энергиях лазерного импульса, превышающих порог плавления поверхности образца. Определены пространственные распределения Cd и Te, а также структурных дефектов в облученном слое. Полученные данные интерпретируются с учетом интенсивного испарения одного из компонентов (Cd) материала.