Вышедшие номера
Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N5+ и Si5+
Двуреченский А.В.1, Каранович А.А.1, Гретцшель Р.2, Херрман Ф.2, Кеглер Р.2, Рыбин А.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Научно-исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия
3Мордовский государственный педагогический институт, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Методом ЭПР исследовались распределения по глубине точечных дефектов в образцах Si, облученных ионами N5+ (E=16 MeV) и Si5+ (E=26.8 MeV) и при 175 и 300 K в диапазоне доз (4-8)·1015 cm-2. Установлено, что в отличие от случая внедрения в Si ионов средних энергий (E~100 keV) распределения по глубине планарных тетравакансий в образцах, облученных ионами при 300 K в указанных режимах, обладают двумя максимумами. Результаты эксперимента свидетельствуют о том, что образование ближайшего к поверхности максимума плотности тетравакансий происходит за счет вторичных процессов дефектообразования. Ни в одном из исследуемых образцов не обнаружено сплошного аморфного слоя в объеме Si. Данный экспериментальный факт свидетельствует об отжиге дефектов, который имеет место при имплантации в Si высокоэнергетичных ионов.