Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N5+ и Si5+
Двуреченский А.В.1, Каранович А.А.1, Гретцшель Р.2, Херрман Ф.2, Кеглер Р.2, Рыбин А.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Научно-исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия
3Мордовский государственный педагогический институт, Саранск, Россия
2Научно-исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия
3Мордовский государственный педагогический институт, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.
Методом ЭПР исследовались распределения по глубине точечных дефектов в образцах Si, облученных ионами N5+ (E=16 MeV) и Si5+ (E=26.8 MeV) и при 175 и 300 K в диапазоне доз (4-8)·1015 cm-2. Установлено, что в отличие от случая внедрения в Si ионов средних энергий (E~100 keV) распределения по глубине планарных тетравакансий в образцах, облученных ионами при 300 K в указанных режимах, обладают двумя максимумами. Результаты эксперимента свидетельствуют о том, что образование ближайшего к поверхности максимума плотности тетравакансий происходит за счет вторичных процессов дефектообразования. Ни в одном из исследуемых образцов не обнаружено сплошного аморфного слоя в объеме Si. Данный экспериментальный факт свидетельствует об отжиге дефектов, который имеет место при имплантации в Si высокоэнергетичных ионов.
- J. Ogawa, R. Koelsch. Sol. Stat. Tech. 11, 28 (1993)
- A. la Ferla, E. Rimini, A. Garnero, A. Golanski. Nucl. Instr. Meth. B55, 561 (1991)
- R.L. Fleischer, P.B. Price, R.M. Walker. Nuclear Tracks in Solids. Principles and Application. University of California Press, Berkeley--Los Angeles--London (1975). 151 p
- Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.С. Смирнов. ФТП 5, 9, 1700 (1971)
- Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.С. Смирнов. ФТП 6, 6, 1111 (1972)
- K.L. Brower, W.J. Beezhold. Appl. Phys. 43, 8, 3499 (1972)
- W. Jung, G.S. Newel. Phys. Rev. 132, 2, 648 (1979)
- J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. Stopping and Ranges of Ions in Matter. Pergamon Press. N.Y.(1985). 321 p
- J.F. Gibbons. Proc. IEEE 60, 9, 1062 (1972)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. Наука, Новосибирск (1980). 191 с
- J. Makinen, E. Punkka, A. Vehanen, E. Arevatanen. J. Appl. Phys. 67, 2, 990 (1990)
- Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Минск (1990). 319 с
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, М. (1989). 321 c.
- T.A. Belykh, A.L. Gorodishchensky, L.A. Kazak, A.R. Urmanov. Nucl. Instr. Meth. B51, 242 (1990)
- M. Takahashi, J. Nakata, K. Kajjyama. Jap. J. Appl. Phys. 20, 11, 2211 (1981)
- Y. Yajima, N. Natsuaki, K. Vokogawa, S. Nishimatsu. Nucl. Instr. Meth. B55, 607 (1991)
- O.W. Holland. Appl. Phys. Lett. 54, 4, 320 (1989)
- A.V. Dvurechenskii, A.A. Karanovich, A.V. Rybin, R. Grotzschel. Nucl. Instr. Meth. B80/81, 620 (1991)
- B. Nielson, O.W. Holland, T.C. Leung, K.G. Lynn. J. Appl. Phys. 74, 3, 1636 (1993).
- Ф. Аль-Баккур, А.Ю. Дидык, И.П. Козлов, Н.М. Пенина, А.М. Зайцев. ФТП 25, 10, 1841 (1991).
- I.V. Antonova, A.V. Dvurechenskii, A.A. Karanovich, A.V. Rybin, S.S. Shaimeev, H. Klose. Phys. Stat. Sol. (a) 147, K1 (1995).
- Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. ФТП 5, 1, 166 (1972)
- Н.С. Бахвалов, Н.П. Жидков, Г.М. Кобельков. Численные методы. Наука, М. (1987). 598 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
