Термооптическое исследование глубоких уровней в легированных кристаллах Bi12SiO20
Панченко Т.В.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 28 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Исследованы температурные зависимости примесного оптического поглощения номинально чистых и легированных ионами Ga, Cr, Mn и Ag кристаллов Bi12SiO20. Предложен метод определения энергии термической активации, найдены некоторые характеристики глубоких уровней.
- Ю.Л. Копылов, В.Б. Кравченко, В.В. Куча. Письма в ЖТФ 8, 4, 205 (1982)
- Н.И. Кацавец, Е.И. Леонов, В.М. Орлов, Е.Б. Шадрин. Письма в ЖТФ 9, 7, 424 (1983)
- А.В. Иванов, Ю.Л. Копылов, В.В. Кравченко, В.В. Куча, Р.Ш. Тухватулин. ЖТФ 54, 12, 2416 (1984)
- Т.В. Панченко, Ю.Г. Осецкий. Письма в ЖТФ 15, 20, 20 (1989)
- Н.И. Кацавец, Е.И. Леонов. ЖТФ 56, 10б, 1993 (1986)
- S.L. Hou, R.E. Lauer, R.E. Aldrich. J. Appl. Phys. 44, 6, 2652 (1973)
- Ю.Л. Копылов, В.Б. Кравченко, В.В. Куча. Микроэлектроника 11, 5, 477 (1982)
- Т.В. Панченко, А.Ю. Кудзин, В.Х. Костюк. Изв. СССР. Неорган. материалы 19, 7, 1144 (1983)
- V.I. Berezkin. Phys. Stat. Sol. (a) 82, K95 (1984)
- М.В. Шилова, В.В. Орлов, Е.И. Леонов, Е.Е. Колосов, И.А. Карпович. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 22, 1, 103 (1986)
- Т.В. Панченко, З.З. Янчук. ФТТ 38, 10, 3042 (1996)
- И.С. Захаров, П.А. Петухов, В.М. Скориков, М.Г. Кистенева, Ю.Ф. Каргин. Изв. вузов МВ и ССО СССР. Физика, 6, 85 (1995)
- Т.В. Панченко, Н.А. Трусеева. УФЖ 29, 8, 1186 (1984)
- R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1986)
- B.C. Grabmaier, R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
- Т.В. Панченко, Н.А. Трусеева. УФЖ 34, 10, 1495 (1989)
- I Foldvari, L.E. Halliburton, G.J. Edvards, L. Otsi. Solid State Commun. 77, 3, 181 (1991)
- J.J. Martin, I. Foldvari, G.A. Hunt. J. Appl. Phys. 70, 12, 7554 (1991)
- W. Wardzynski, H. Szymczak, K. Pataj. J. Phys. Chem. Sol. 43, 8, 767 (1982)
- W. Wardzynski, H. Szymczak, M.P. Borowiec, K. Pataj. J. Phys. Chem. Sol. 46, 10, 1117 (1985)
- А.Б. Дубовский, А.А. Марьин, Г.А. Сидоренко, А.А. Фотченков. Изв. АН СССР Неорган. материалы 22, 11, 1874 (1986)
- T.V. Panchenko, N.A. Truseeva. Ferroelectrics 115, 73 (1991)
- T.V. Panchenko, Yu.G. Osetsky, N.A. Truseeva. Ferroelectrics 174, 61 (1995)
- В.И. Калинин, Ж.С. Кучук, Н.Г. Горащенко, А.А. Майер. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 24, 4, 637 (1988)
- А.Ю. Кудзин, Т.В. Панченко, Н.А. Трусеева. УФЖ 29, 9, 1414 (1984)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников, Наука, М. (1977). 366 с
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
- А.А. Копылов, А.Н. Пихтин. ФТТ 16, 7, 1837 (1974)
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках. Мир, М. (1986). 303 с
- A. Hamri, M. Secu, V. Topa, B. Briat. Opt. Mater. 4, 197 (1995)
- В.К. Малиновский, О.А. Гудаев, В.А. Гусев, С.И. Деменко. Фотоиндуцированные процессы в силленитах. Наука, Новосибирск (1990). 159 с
- А.Ф. Лубченко. Квантовые переходы в примесных центрах твердых тел. Наук. думка, Киев (1976). 294 с
- D. Bois, A. Chante. Rev. Phys. Appl. 15, 631 (1980)
- R.B. Lauer. J. Appl. Phys. 45, 4, 1794 (1974)
- Т.В. Панченко, Г.В. Снежной. ФТТ 35, 12, 3248 (1993)
- D. Bloom, S.W.S. McKeever. J. Appl. Phys. 77, 12, 6521 (1995)
- М.Г. Ермаков, А.В. Хомич, П.И. Перов, И.А. Гори, В.В. Куча. Микроэлектроника 11, 5, 424 (1982)
- В.А. Гусев, В.А. Детиненко, А.П. Соколов. Автометрия 5, 34 (1983)
- В.И. Березкин. ФТТ 25, 2, 490 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук