Вышедшие номера
Термооптическое исследование глубоких уровней в легированных кристаллах Bi12SiO20
Панченко Т.В.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 28 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследованы температурные зависимости примесного оптического поглощения номинально чистых и легированных ионами Ga, Cr, Mn и Ag кристаллов Bi12SiO20. Предложен метод определения энергии термической активации, найдены некоторые характеристики глубоких уровней.