Локализованные оптические фононы в сверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311) A и (311) B
Милехин А.1, Пусеп Ю.1, Яновский Ю.1, Преображенский В.1, Семягин Б.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Исследованы оптические колебательные моды в сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенных в направлении [311]. Анализ частот TO- и LO-локализованных мод, наблюдаемых в ИК-спектрах отражения, показал, что различие частот TO- и LO-мод в сверхрешетках, выращенных на поверхностях (311) A и (311) B, обусловлено различной длиной локализации этих мод. Дисперсия поперечных оптических фононов GaAs, полученная из ИК-спектров отражения, хорошо соответствует данным комбинационного рассеяния света.
- R. Notzel, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B46, 4736 (1992)
- R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein. K. Ploog. Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991)
- R. Notzel, K. Ploog. J. Vac. Sci. Technol. A10, 617 (1992).
- R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein. Phys. Rev. B45, 3507 (1992).
- Yu.A. Pusep, S.W. da Silva, J.C. Galzerani, D.I. Lubyshev, P. Basmaji. Phys. Rev. B51, 5473 (1995)
- Z.V. Popovich, E. Richter, J. Spitzer, M. Cardona, A.J. Shield, R. Notzel, K. Ploog. Phys. Rev. B49, 11, 7577 (1994)
- P. Castrillo, L. Colombo. Phys. Rev. B49. N 15. P. 10362. (1994)
- D.W. Berreman. Phys. Rev. 130, 2193 (1963)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
