Прыжковая проводимость на постоянном токе в монокристаллах TlGaS2 и TlInS2
Мустафаева С.Н.1, Алиев В.А.1, Асадов М.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Установлено, что при температурах T=< 200 K в слоистых монокристаллах TlGaS2 и TlInS2 как вдоль, так и поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотности состояний вблизи уровня Ферми, расстояния прыжков при различных температурах. В области температур 110-150 K в монокристаллах TlGaS2 и TlInS2 установлено наличие безактивационной прыжковой проводимости.
- S.N. Mustafaeva, S.D. Mamedbeili. Abstracts of the 9th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds. Yokohama, Japan (August 8--12 1993). P. 281
- А.М. Дарвиш, А.Э. Бахышов, В.И. Тагиров. ФТП 11, 4, 780 (1977)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c
- V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, R. Piccolo, L. Vasanelli. Nuovo Cimento B 38, 2, 327 (1977)
- Б.И. Шкловский. ФТП 6, 12, 2335 (1972)
- А.Э. Бахышов, Р.С. Самедов, Сафуат Булес, В.И. Тагиров. ФТП 16, 1, 161 (1982)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неоднородные электронные состояния. ИНХ СО АН СССР, Новосибирск (1991). С. 198--199
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. Неорган. материалы 31, 3, 318 (1995)
- С.Б. Вахрушев, В.В. Жданова, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 245 (1984)
- К.Р. Аллахвердиев, Н.А. Бахышов, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов. ФТТ 28, 7, 2243 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.