Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание экситонов и дефектов в кристалле CsI при импульсном электронном облучении
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Представлены данные по изучению влияния температуры интервала 80-650 K на спектрально-кинетические характеристики люминесценции и переходного поглощения неактивированных кристаллов CsI при облучении импульсными электронными пучками (< E>=0.25 MeV, t1/2=15 ns, j=20 A/cm2). В структуре коротковолновой части спектров переходного поглощения при T=80-350 K выявлены особенности, указывающие на то, что ядерная подсистема автолокализованных экситонов (АЛЭ) за время их жизни до излучательной аннигиляции при T<= 80 K в CsI многократно трансформируется, попеременно занимая двух- и трехгалоидную ионную конфигурации. Установлено, что явления температурного роста выхода радиационных дефектов, F- и H-центров окраски, и тушения УФ-люминесценции в CsI возникают в одной температурной области (выше 350 K) и характеризуются одинаковыми значениями термической активации (~ 0.22 eV). Предполагается, что АЛЭ в кристалле CsI могут иметь как центральную, так и нецентральную конфигурации трехгалоидного ионного остова; высокотемпературное свечение кристаллов CsI связывается с излучательной аннигиляцией нецентрального АЛЭ со структурой (I-(I0I-e-) )*.
- A.N. Belsky, A.N. Vasil'ev, V.V. Mikhalin, A.V. Gektin, P. Martin, C. Pedrini, D. Bouttet. Phys. Rev. B49, 18, 13 197 (1994)
- H. Nishimura, M. Sakata, T. Tsujimoto, M. Nakayama. Phys. Rev. B51, 4, 2167 (1995)
- H. Lamatsch, J. Rossel, E. Saurer. Phys. Stat. Sol. (b) 41, 2, 605 (1970)
- T. Iida, Y. Nakaoka, von der J.P. Weid, M.A. Aegerter. J. Phys. C131, 6, 983 (1980)
- L. Falco, von der J.P. Weid, M.A. Aegerter, T. Iida, Y. Nakaoka. J. Phys. C131, 6, 993 (1980)
- В.А. Кравченко, В.М. Лисицын, В.Ю. Яковлев. ФТТ 27, 7, 2181 (1985)
- R.G. Fuller, R.T. Williams, M.N. Kabler. Phys. Rev. Lett. 25, 7, 446 (1970)
- R.T. Williams, M.N. Kabler. Phys. Rev. B9, 4, 1897 (1974)
- R.T. Williams, K.S. Song. J. Phys. Chem. Sol. 50, 7, 679 (1990)
- N. Itoh. Adv. Phys. 31, 5, 491 (1982)
- R.T. Williams, M.N. Kabler, W. Hayes, J.P. Stott. Phys. Rev. B14, 2, 725 (1976)
- J. Konitzer, H. Hersh. J. Phys. Chem. Sol. 27, 771 (1966)
- И.А. Парфианович, Э.Э. Пензина. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Вост.-сиб. кн. изд-во. Иркутск (1977). 208 с
- В.В. Колотилин, В.И. Штанько. ФТТ 26, 1, 236 (1984)
- В.Ю. Яковлев. ФТТ 26, 11, 3334 (1984)
- S. Iwai, T. Tokizaki, A. Nakamura, T. Shibata, K. Tanimura, A. Shluger, N. Itoh. J. Lumin. 60--61, 720 (1994)
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М. (1963). 696 с
- R.T. Williams, K.S. Song, W.L. Faust, C.H. Leung. Phys. Rev. B33, 10, 7232 (1986)
- T. Toyozawa. J. Phys. Soc. Jap. 44, 2, 482 (1978)
- N. Itoh, T. Eshita, R.T. Williams. Phys. Rev. B34, 6, 4230 (1986)
- K. Kan'no, K. Tanaka, T. Hayashi. Rev. Sol. Stat. Sci. 4, 383 (1990)
- T. Matsumoto, S. Kawata, A. Miyamoto, K. Kan'no. J. Phys. Soc. Jap. 61, 11, 4229 (1992)
- R.T. Williams, B.B. Craig, W.L. Faust. Phys. Rev. Lett. 52, 19, 1709 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
