Вышедшие номера
Толщинная зависимость экситонного поглощения в чистых кристаллах GaAs "доквантового" предела
Алиев Г.Н.1, Лукьянова Н.В.2, Сейсян Р.П.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

При температуре 1.7 K исследовано оптическое поглощение кристаллов GaAs с толщинами d=0.4-4.4 mum в области экситон-поляритонного резонанса. При уменьшении толщины наблюдается не только уширение экситонной линии, но и рост поглощения при незначительном штарковском сдвиге. Зависимость характера спектров поглощения от толщины кристалла рассматривается в рамках представления о конкуренции двух областей свето-экситонного взаимодействия в кристалле: находящейся в поле поверхностных зарядов и свободной от электрического поля.