Толщинная зависимость экситонного поглощения в чистых кристаллах GaAs "доквантового" предела
Алиев Г.Н.1, Лукьянова Н.В.2, Сейсян Р.П.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
При температуре 1.7 K исследовано оптическое поглощение кристаллов GaAs с толщинами d=0.4-4.4 mum в области экситон-поляритонного резонанса. При уменьшении толщины наблюдается не только уширение экситонной линии, но и рост поглощения при незначительном штарковском сдвиге. Зависимость характера спектров поглощения от толщины кристалла рассматривается в рамках представления о конкуренции двух областей свето-экситонного взаимодействия в кристалле: находящейся в поле поверхностных зарядов и свободной от электрического поля.
- Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. Наука, М. (1984). 282 с
- Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ 38, 4, 1067 (1996)
- M.D. Sturge. In: Excitons / Ed. E.I. Rashba, M.D. Sturge. North-Holland, Amsterdam (1982). P. 9
- D.D. Sell. Phys. Rev. 86, 3750 (1972)
- C. Weisbuch. In: Semiconductors and semimetals / Ed. B. Dingle. Academic Press (1987). V. 24. P. 1
- G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, R. Vladimirova, H. Gibbs, C. Khitrova. Phys. Stat. Sol. (a), 164, 193 (1997)
- V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn. 8, 1235 (1993)
- G.N. Aliev, O.S. Coschug-Toates, V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A.Vaganov. Proc. SPIE / Ed. J. Singh (1995). V. 2362. P. 561
- Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 4, 1534 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
