Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экситоны в кристаллах ZnP₂ в электрическом поле барьера Шоттки

Романовский С.О.¹, Селькин А.В.¹, Стамов И.Г.¹, Феоктистов Н.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние электрического поля на экситонные состояния кристаллов beta-ZnP₂ (T=77 K) в структурах с барьерами Шоттки, образованными нанесением на поверхность кристаллов полупрозрачных электропроводящих пленок InSnO₂. Наблюдаемые изменения спектров экситонного отражения света под действием приложенного к барьеру электрического напряжения объясняются сдвигом и уширением экситонного уровня за счет эффекта Штарка. Экспериментальные данные сравниваются с результатами расчета, выполненного в рамках теории экситонного отражения света от планарных пространственно неоднородных структур.

Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник / Пер. с англ. под ред. Г.В. Степанова. Радио и связь, М. (1982). 208 с
В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987). 160 с
L. Schultheis, K. Kohler, C.W. Tu. Phys. Rev. B36, 12, 6609 (1987)
А.Б. Новиков, Б.В. Новиков, Г. Роппишер, А.В. Селькин, Н. Штайн, Р.Б. Юферев. Письма в ЖЭТФ 64, 1, 38 (1996)
M.A. Jacobson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, D.K. Nelson, A.V. Sel'kin, V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, C.H. Carter, Jr. Proc. 23rd Int. Conf. on the Phys. of Semicond. Berlin, Germany (1966). V. 1. P. 569
А.Б. Певцов, С.А. Пермогоров, А.В. Селькин, Н.Н. Сырбу, А.Г. Уманец. ФТП 16, 8, 1399 (1982)
А.В. Селькин. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, 2(11), 87 (1996)
R.J. Damburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B9, 3358 (1976)
Н.Н. Ахмедиев, М.И. Сажин, А.В. Селькин. ЖЭТФ 96, 2(8), 720 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель