Исследовано влияние поля барьера Шоттки и высокой плотности возбуждения на спектры рекомбинационного излучения эпитаксиальных пленок GaN, выращенных MOCVD методом. Обнаружено, что при обратном смещении происходит гашение люминесценции, а при прямом - ее возгорание. Наблюдаемый эффект объясняется вариацией толщины слоя объемного заряда под действием приложенного напряжения. В условиях высокой плотности возбуждения наблюдалось возгорание новой полосы, обусловленной процессом экситон-экситонных столкновений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.