Вышедшие номера
Влияние свободных электрон-дырочных пар на насыщение экситонного поглощения в GaAs / AlGaAs-квантовых ямах
Литвиненко К.Л.1, Хвам Й.М.2, Лысенко В.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Mikroelektronik Centret, DTU, D Lyngby, Denmark
Поступила в редакцию: 11 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

При помощи экспериментальной методики накачки и зондирования исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров экситонного поглощения GaAs / AlxGa1-xAs-многослойных квантовых ям. Применение метода анализа моментов для обработки результатов позволило выделить одновременный вклад изменения силы осциллятора и уширения экситонных линий в насыщение экситонного поглощения. Оказалось, что сила осциллятора восстанавливает свое первоначальное значение в течение первых 100-130 ps, тогда как уширение и энергетический сдвиг экситонных линий наблюдаются в течение 700-800 ps. Впервые экспериментально измерена плотность насыщения силы осциллятора в случае влияния на экситонное состояние только свободных электрон-дырочных пар и в случае влияния только других экситонов.