Проведен анализ эффекта аномального положительного магнетосопротивления 2D-слоя на поверхности теллура с кристаллографическими индексами (1010) и показано, что он может быть описан в рамках теории слабой локализации, учитывающей особенности симметрии зонного спектра двумерного слоя на данной поверхности теллура и связанные с этим особенности процессов релаксации фазы, а также наличие нескольких 2D-подзон. Определены основные параметры теории и обнаружено, что для данной ориентации 2D-слоя характерна необычно высокая вероятность межподзонных переходов при упругом рассеянии, что качественно отличает этот случай от системы 2D-дырок на ранее изученной поверхности (0001). Эффект связывается с различием в характере электронных состояний на этих границах кристалла: оборванные ковалентные связи в цепочках, образующих кристалл теллура, на поверхности (0001) и нарушение более слабых связей типа Ван-дер-Ваальса между цепочками в случае поверхности (1010), являющейся поверхностью скола. Сделан вывод о том, что время сбоя фазы волнового состояния при неупругих процессах обусловлено межэлектронным рассеянием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.