Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на гистерезисные явления в области перехода несоразмерная--соразмерная фаза кристаллов Rb2ZnBr4
Шелег А.У.1, Иодковская К.В.1, Курилович Н.Ф.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на температурный гистерезис диэлектрической проницаемости varepsilon и тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta кристалла Rb2ZnBr4 в области фазового перехода (ФП) несоразмерная-соразмерная (INC =<ftrightarrow C) фаза. Установлено, что на кривых varepsilon(T) и tgdelta(T) в области температуры ФП Tc наблюдаются аномалии в виде максимумов. Обнаружено наличие гистерезиса измеренных свойств, в том числе и температуры перехода Tc (Delta T=Thc-Tcc), как для необлученных, так и облученных образцов. Показано, что при увеличении дозы облучения величина гистерезиса Delta T растет, значения varepsilonmax и tgdeltamax в точке перехода уменьшаются, а аномалии размываются.