Вышедшие номера
Определение параметра решетки и одноэлектронного модельного потенциала соединения CdS с помощью спектров поглощения мягкого рентгеновского излучения
Мигаль Ю.Ф.1, Лаврентьев А.А.1, Габрельян Б.В.1, Никифоров И.Я.1
1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 18 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Схема определения параметров структуры многоатомных систем с использованием спектров мягкого рентгеновского излучения (XANES), предложенная ранее, расширена на случай неметаллических кристаллических тел. С ее помощью по положениям максимумов одноэлектронного происхождения в K-спектре серы в соединении CdS определены параметр решетки и эмпирический muffin-tin-потенциал.