Вышедшие номера
Резонансная оптическая ориентация и выстраивание экситонов в сверхрешетках
Кочерешко В.П.1, Ивченко Е.Л.1, Яковлев Д.Р.1, Лаваллар Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Groupe de Physique des Solides, URA 17 du CNRS, Universites Paris 6 et 7, 2 Place Jussieu, Paris cedex 05, France
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Методами оптической ориентации и оптического выстраивания дипольных моментов исследованы экситонные состояния в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlGaAs. Изучено влияние магнитного поля в геометриях Фарадея и Фойгта на степень линейной и циркулярной поляризации фотолюминесценции при резонансном и нерезонансном возбуждении. Определены константы электрон-дырочного обменного взаимодействия в экситоне.