Управление величинами температурного гистерезиса и размытия диэлектрической аномалии в области сегнето-антисегнетоэлектрического фазового перехода в керамике PbZr1-xTixO3 (0.03=< x=<0.05)
Захаров Ю.Н.1, Раевская С.И.1, Бородин В.З.1, Кузнецов В.Г.1, Раевский И.П.1
1Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, Ростов-на-Дону, Россия
Email: zakharov@ip.rsu.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Установлена возможность обратимо изменять величины температурного гистерезиса и размытия диэлектрической аномалии, соответствующей переходу между антисегнетоэлектрической (АСЭ) и сегнетоэлектрической (СЭ) фазами в керамике PbZr1-xTixO3 (0.03=< x=<0.05) варьированием температур нагрева и охлаждения в ходе термоциклирования. Полученные результаты свидетельствуют о том, что АСЭ-СЭ переход в PbZr1-xTixO3 является размытым фазовым переходом первого рода. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Министерства образования РФ (А04-2.9-889) и РФФИ (05-02-90568 ННС_а). PACS: 77.80.Dj, 77.84.Dy
- Э.А. Завадский, В.М. Ищук. Метастабильные состояния в сегнетоэлектриках. Наукова думка, Киев (1987)
- Е.М. Морозов, В.П. Смирнов, В.В. Климов, С.П. Соловьев. Кристаллография 23, 1, 119 (1978)
- I.P. Raevski, S.I. Raevskaya, S.A. Prosandeev, V.A. Shuvaeva, A.M Glazer, M.S. Prosandeeva. J. Phys.: Condens. Matter 16, 15, L221 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук