Влияние механических напряжений на диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT
Лалетин Р.А.1, Бурханов А.И.1, Жога Л.В.1, Шильников А.В.1, Сигов А.С.2, Воротилов К.А.2
1Волгоградский архитектурно-строительный университет, Волгоград, Россия
2Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
Email: postmaster@vgasa.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения sigma способствует увеличению диэлектрической проницаемости varepsilon' образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффекту - наблюдается уменьшение varepsilon' с возрастанием G. Наблюдаемые эффекты объясняются особенностями поведения доменной структуры пленки в полях внутренних напряжений. Работа выполнена при поддержке гранта "Ведущие научные школы" (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 68.60.Bs
- А.Ю. Емельянов. ФТТ 43, 2, 316 (2001)
- A.L. Roytburd, S.P. Alpay, L.A. Bendersky, V. Nagarajan, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 89, 1, 553 (2001)
- И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Н.Г. Хосина, В.П. Афанасьев. Письма в ЖТФ 30, 6, 25 (2004)
- Youngsung Kim, Wangkyu Lim, Jaichan Lee. Integrated Ferroelectrics 37, 285 (2001)
- Л.И. Соловьева, И.Е. Обвинцева, М.И. Яновская, К.А. Воротилов, В.А. Васильев. Неорган. материалы 32, 7, 866 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук