Вышедшие номера
Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния
Кортов В.С.1, Зацепин А.Ф.1, Горбунов С.В.1, Мурзакаев А.М.2
1Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
2Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
Email: zats@dpt.ustu.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

С использованием методов импульсной катодолюминесценции и времяразрешенной фотолюминесценции изучены спектрально-кинетические свойства возбужденных состояний люминесцирующих дефектов типа кислородно-дефицитных центров (ODC) в керамике SiO2. Для наноструктурированных образцов, полученных термическим разложением полисилазана на воздухе, установлена возможность существования модификаций ODC-дефектов, являющихся поверхностными аналогами нейтральных кислородных моновакансий =Si-Si= (=Ge-Ge=) или двухкоординированных атомов кремния =Si: (=Ge:). Фотолюминесценция таких центров эффективно возбуждается в полосах оптического поглощения поверхностных E's-центров и дефектов типа кремниевых кластеров =SiSiSi= и может быть связана с межцентровым переносом энергии в процессе их безызлучательной релаксации. Исследование спектров фотолюминесценции и возбуждения показало наличие термоиндуцированных процессов конверсии различных типов ODC. На основе анализа спектрального состава и кинетики катодолюминесценции установлены закономерности термоиндуцированной трансформации люминесцентных характеристик дефектов при изменении структуры образцов от аморфной до частично-кристаллической. Настоящая работа выполнена при поддержке US CRDF (Award N REC-005, EK-005-X1) и РФФИ (проект N 05-02-16448). PACS: 78.67.Bf, 78.55.Hx