Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электретные состояния и фазовый переход в приповерхностном слое в сегнетоэлектрике-полупроводнике TlGaSe2
1Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey 
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: smirhasan@gyte.edu.tr
Поступила в редакцию: 20 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.
Дано первое доказательство существования в сегнетоэлектрике-полупроводнике TlGaSe2 в температурной области T<200 K устойчивых внутренних электрических полей, связываемых с образованием в кристалле остаточной электретной поляризации. Экспериментально установлена существенная зависимость величины пика пироэлектрического тока, регистрируемого в окрестности фазового перехода (ФП) в сегнетоэлектрическую полярную фазу от значения температуры, при которой снималось с образца внешнее электрическое поле при предварительном охлаждении исследуемого кристалла от комнатной температуры. Полученные результаты обсуждены в рамках модели, предполагающей образование в сегнетоэлектрике TlGaSe2 внутренних электретных полей, связанных с зарядами, локализованными на уровнях как в объеме, так и на поверхности кристалла. Обнаружена резкая трансформация указанных полей в узкой области температур вблизи 135 K. На основе полученных фактов сделан вывод о наличии в TlGaSe2 ФП в приповерхностом слое вблизи температуры ~ 135 K. PACS: 64.70.Rh, 77.22.Ej, 77.80.Bh
- D.F. McMorrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys. J. Phys.: Condens. Matter 2, 3699 (1990)
- V.P. Aliev, S.S. Babaev, T.G. Mammadov, M.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. Sol. Stat. Commun. 128, 25 (2003)
- В.П. Гололобов, В.М. Перга, И.Н. Саливонов, Е.Е. Щиголь. ФТТ 34, 1, 115 (1992)
- Е.С. Крупников, Ф.Ю. Алиев. ФТТ 30, 10, 3158 (1988)
- Н.А. Абдуллаев, Т.Г. Мамедов, Р.А. Сулейманов. ФНТ 27, 8, 915 (2001)
- С.Г. Абдуллаева, Н.Т. Мамедов, Ш.С. Мамедов, Ф.А. Мустафаев. Неорган. материалы 25, 11, 35 (1989)
- Н.И. Агладзе, Б.П. Антанюк, В.М. Бурлаков, Е.А. Виноградов, Г.Н. Жижин. ФТТ 23, 11, 3289 (1981)
- С.Г. Абдуллаева, В.А. Алиев, Н.Т. Мамедов, М.К. Шейнкман. ФТП 17, 10, 1787 (1983)
- S.G. Abdullaeva, V.A. Aliev. Phys. Stat. Sol. (a) 69, K33 (1982)
- В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
- В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики. Наука, М. (1979). 284 с
- В.Ф. Косоротов, Л.С. Кременчугский, В.Б. Самойлов, Л.В. Щедрина. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. Наукова думка, Киев (1985). 224 с
- В.В. Гладкий, С.Н. Каллаев, В.А. Кириков, Л.А. Шувалов, Б. Бржузина. ФТТ 23, 1, 313 (1981)
- Incommensurate Phase in Dielectrics 1. Fundaments / Eds R. Blinc, A.P. Levanyuk. North Holland, Amsterdam (1986). P. 43
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
