Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности примесного электросопротивления в ферромагнетиках с малой концентрацией носителей

Гавричков В.А.¹, Овчинников С.Г.¹

¹Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia

Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia

Email: gav@iph.krasnoyarsk.su

Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При переходе от простых полупроводников к более сложным химическим составам мы сталкиваемся в основном с нестехиометричными или специально-нелегированными соединениями. В сочетании с другими особенностями d(f)-соединений это может приводить наряду с обычным для магнитных полупроводников рассеянием на спиновом беспорядке, к необычному примесному вкладу в общее рассеяние носителей даже в беспримесных полупроводниках. На основе модельного гамильтониана предложена единая схема расчета энергетической структуры дна зоны проводимости ферромагнитного полупроводника, температурных и полевых зависимостей примесного вклада в электросопротивление. Вычисленное магниторезистивное отношение отрицательно и имеет максимум в районе T_c. Проведено качественное сравнение результатов с экспериментальными зависимостями холловской подвижности и магниторезистивного отношения от температуры в тройном полупроводнике n-HgCr₂Se₄, не обладающего стехиометрией по халькогену. Для выделения не наблюдавшихся ранее температурных осцилляций электросопротивления проделана тщательная обработка низкотемпературной части электросопротивления с помощью полученных формул.

Н.Н. Сирота. Физико-химическая природа фаз с переменным составом. Наука и техника, Минск (1970). 231 с
S. Metfessel, D.C. Mattis. Magnetic Semiconductors, Handbuch der Physic. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y. (1968). 562 p
Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). С. 127
R. von Helmholt, J. Wecker, B. Holzapfel, L. Shultz, K. Samwer 3. Phys. Rev. Lett. 71, 2331 (1993); S. Jin, T.H. Tiefel, M.Mc. Cormack, R.A. Fasthnacht, R. Ramesh, L.H. Chen. Science 264, 413 (1994)
В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, М.Ш. Ерухимов, И.С. Эдельман. ЖЭТФ 90, 1275 (1986); В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, М.Ш. Ерухимов. ФТТ 29, 527 (1987)
M. Lanoo, J. Bourgoin. Point defect in semiconductors I, theoretical aspects. Springer Series in Solid-States Science 22. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y. (1981). 264 p
А.А. Абрикосов, Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский. Методы квантовой теории поля в статистической физике. Гостехиздат, М. (1962). 350 с
S.G. Ovchinnikov. Phase Trans. 36, 15 (1991)
A. Selmi. Galvanomagnetic properties of the semiconductors HgCr₂Se₄. Diplome de doctoeur (in French). University of P.-M. Curie (1979). P. 61--71; A. Selmi et al. J. Appl. Phys. 57, 1, 3216 (1985); A. Selmi et al. J. Magn. Magn. Mater. 66, 3, 295 (1987)
N. Koguchi, K. Masumoto, J. Phys. Chem. Sol. 41, 1279 (1980)
Б.А. Гижевский, А.А. Самохвалов и др. ФТТ 26, 9, 2647 (1984)
В.К. Чернов, В.А. Гавричков, Н.Б. Иванова, Г.С. Вейст, Ю.В. Бояршинов. ФТТ 28, 1, 289 (1986)
N.F. Mott. Proc. Phys. Soc. 47, 571 (1935); Proc. Roy. Soc. A 153, 368 (1936); N.F. Mott, K.W.H. Stevens. Phil. Mag. 2, 1364 (1957); B.R. Coles. Adv. Phys. 7, 40 (1958)
J. Frank, F. Blatt. Physics of electronic conduction in solids. Mc Graw--Hill Book Copmpany (1968). 470 p
T. Arai, M. Wakaki et al. J. Phys. Soc. Jap. 34, 1, 68 (1973)
А.Д. Балаев, В.В. Вальков, В.А. Гавричков, Н.Б. Иванова, С.Г. Овчинников, В.К. Чернов. УФН 167, 1016 (1997); А.Д. Балаев, В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, В.К. Чернов, Т.Г. Аминов, Г.Г. Шабунина. ЖЭТФ 113, 5, в печати (1998)
В.В. Вальков, Д. Дзебисашвили. ЖЭТФ 111, 654 (1997)
С.Г. Овчинников, В.К. Чернов, А.Д. Балаев, Н.Б. Иванова, В.А. Левшин, Б.П. Хрусталев. Письма в ЖЭТФ 62, 620 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель