Вышедшие номера
Особенности примесного электросопротивления в ферромагнетиках с малой концентрацией носителей
Гавричков В.А.1, Овчинников С.Г.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: gav@iph.krasnoyarsk.su
Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

При переходе от простых полупроводников к более сложным химическим составам мы сталкиваемся в основном с нестехиометричными или специально-нелегированными соединениями. В сочетании с другими особенностями d(f)-соединений это может приводить наряду с обычным для магнитных полупроводников рассеянием на спиновом беспорядке, к необычному примесному вкладу в общее рассеяние носителей даже в беспримесных полупроводниках. На основе модельного гамильтониана предложена единая схема расчета энергетической структуры дна зоны проводимости ферромагнитного полупроводника, температурных и полевых зависимостей примесного вклада в электросопротивление. Вычисленное магниторезистивное отношение отрицательно и имеет максимум в районе Tc. Проведено качественное сравнение результатов с экспериментальными зависимостями холловской подвижности и магниторезистивного отношения от температуры в тройном полупроводнике n-HgCr2Se4, не обладающего стехиометрией по халькогену. Для выделения не наблюдавшихся ранее температурных осцилляций электросопротивления проделана тщательная обработка низкотемпературной части электросопротивления с помощью полученных формул.