Вышедшие номера
Проявление коллективных свойств пространственно-непрямых экситонов в асимметричных двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Криволапчук В.В.1, Москаленко Е.С.1, Жмодиков А.Л.1, Ченг Т.С.2, Фоксон С.Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Факультет физики Ноттингемского университета, NG7--2RD Великобритания
Поступила в редакцию: 1 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследовались спектры низкотемпературной (T=1.8, 4.2 K) люминесценции двойных связанных асимметричных квантовых ям (ДКЯ) GaAs/Al0.3Ga0.7As при изменении электрического поля Vdc, приложенного вдоль нормали к плоскости слоев ДКЯ. Обнаружено, что полуширина линии излучения (FWHM) непрямого экситона IX испытывает в некотором интервале значений Vdc резкое (до 3.5 раз) сужение. При этом в переходной области значений Vdc, при которых возникает резкое уменьшение (или увеличение) FWHM наблюдаются аномально большие флуктуации интенсивности IX во времени. В ходе зависимости FWHM от уровня накачки Ip также наблюдалось резкое уменьшение FWHM в некотором интервале значений Ip. Полученные результаты обсуждаются в рамках предположения о связи наблюдаемых явлений с возникновением конденсированного состояния во взаимодействующем коллективе пространственно-непрямых экситонов в ДКЯ.