Вышедшие номера
Формирование Кикучи-полос в дифракционных картинах электронов средней энергии
Гомоюнова М.В.1, Пронин И.И.1, Фараджев Н.С.1, Валдайцев Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Для выявления механизма формирования Кикучи-полос полная дифракционная картина Si(100), полученная регистрацией квазиупругорассеянных электронов с энергией 2 keV, сопоставлена с результатами модельных расчетов, выполненных в приближении однократного рассеяния для кластеров, построенных из разного числа плотноупакованных плоскостей (110). Показано, что формирование Кикучи-полос определяется двумя типами процессов рассеяния электронов в кристалле. Основной вклад в усиление интенсивности отражения электронов в пределах полосы вносит их фокусировка при движении вдоль многочисленных межатомных направлений, лежащих в плоскостях (110). Другим механизмом, ответственным за формирование резких краевых областей Кикучи-полос, является рассеяние электронов на ближайших соседних плоскостях. Специфический профиль Кикучи-полос предложено использовать для оценки формы и размеров кристаллитов легких элементов, образующихся на начальных стадиях роста островковых пленок.