Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Химические эффекты при формировании электронной структуры поверхности полупроводников A³B⁵, сульфидированной в растворах

Бессолов В.Н.¹, Коненкова Е.В.¹, Лебедев М.В.¹, Zahn D.R.T.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Institut fur Physik, TU-Chemnitz, Chemnitz, Germany

Email: mleb@triat.ioffe.rssi.ru

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучались электронные свойства поверхности (100) образцов n-GaAs, p-GaAs и n-InP, сульфидированных в различных сульфидных растворах. Показано, что сульфидирование приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции, уменьшению глубины приповерхностной обедненной области полупроводника и к сдвигу поверхностного уровня Ферми в направлении зоны проводимости. Эти эффекты тем более сильные, чем выше химическая активность серы в растворе.

C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, T.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987)
J.-F. Fan, Y. Kurata, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2255 (1989)
H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci. 242, 335 (1991)
V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys. 82, 2640 (1997)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B27, 985 (1983)
R. Maeckel, H. Baumgaertner, J. Ren. Rev. Sci. Instrum. 64, 694 (1993)
V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci. Engineer. B44, 376 (1997)
Е.А. Мелвин-Хьюз. Равновесие и кинетика реакций в растворах. Химия, М. (1975). 472 с
D. Paget, A.O. Gusev, V.L. Berkovits. Phys. Rev. B 53, 4615 (1996)
V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, N.M. Binh, M. Friedrich, D.R.T. Zahn. Sem. Sci. Technol. 13, 611 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель