Изучено поведение диэлектрической проницаемости в окрестности фазового перехода в кристаллах Sn₂P₂S₆ различного технологичного качества. Установлено, что в высокоомных кристаллах, в которых в результате экранирования спонтанной поляризации в полярной фазе формируется внутреннее электрическое поле, в интервале температур ~ 2 K выше T_max наблюдается долговременная релаксация varepsilon. Эта релаксация и изменение формы максимума varepsilon'(T) при фазовом переходе связываются с влиянием внутреннего электрического поля, индуцируемого объемным пространственным зарядом, формируемым в приповерхностных областях. Установлено, что имеющиеся различия в свойствах кристаллов Sn₂P₂S₆ обусловлены отклонением от стехиометрии, возникающим в процессе роста и синтеза кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.