На основе первых принципов рассмотрен вопрос о локализованных (в смысле Мотта) и делокализованных (зонных) состояниях электрона в кристалле. Критерием различия между этими состояниями является поведение недиагональных элементов одночастичной электронной матрицы плотности < \hat psi⁺( r) \hat psi( r')> при T=0. Локализации соответствует ее экспоненциальное убывание при | r- r'|->бесконечность, а делокализации - степенное. Этому соответствует аналитичность матрицы плотности в k-пространстве зоны Бриллюэна в первом случае и особенность (Ферми-ступенька) во втором. Эта неаналитичность приводит также к степенному убыванию корреляционных функций. В нормальной системе локализации соответствует диэлектрическое состояние, а делокализации - проводящее. Показано, что введенный критерий локализации применим и к неупорядоченным системам. Обсуждается также вопрос о локализации электронов в сверхпроводниках. Отмечено, что в сверхпроводящем состоянии БКШ и в модели локализованных пар выполняется упомянутый выше критерий локализации. Причиной же глубокого различия свойств диэлектрического и сверхпроводящего состояний является то, что в основном состоянии диэлектрика статические флуктуации числа электронов <(Delta N)²>₀ отсутствуют, а в сверхпроводнике ODLRO приводит к отличным от нуля флуктуациям N квантовой природы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.