Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1999, выпуск 11 » Статья стр. 1953
<<<>>>
Снижение уровня упругих напряжений в структурах, полученных прямым сращиванием кремния
Аргунова Т.С.1, Витман Р.Ф.1, Грехов И.В.1, Гуткин М.Ю.2, Костина Л.С.1, Кудрявцева Т.В.1, Штурбин А.В.3, Hartwig J.4, Ohler M.4, Kim E.D.5, Kim S.Ch.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4European Synchrotron Radiation Facility, Av. des Martyrs-B.P. 220, Grenoble Cedex, France
5Power Semiconductor Research Laboratory, Korea Electrotechnology Research Institute, P.O. Box 20, Changwon, 641--600 Gyongnam, Rep. of Korea
Email: argunova@tania.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 9 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
PDF версия
Упруго-деформированное состояние интерфейса в структурах, полученных прямым сращиванием кремния, было исследовано методами рентгеновской дифракционной топографии и ИК-спектрометрии. Характер контраста, наблюдавшийся на рентгеновских топограммах, и осцилляции интенсивности на ИК-спектрах свидетельствовали о периодическом распределении деформации, обусловленном длиннопериодной микрошероховатостью поверхности сращиваемых пластин. При этом локальная микрошероховатость не превышала 2 Angstrem и не оказывала заметного влияния на структурное состояние интерфейса. Был проведен сравнительный анализ двух типов структур: (1) с гладким интерфейсом, изготовленных по традиционной технологии сращивания, и (2) с интерфейсом в виде регулярного рельефа. В структурах второго типа было обнаружено снижение уровня деформации более чем на порядок. Предложена модель, объясняющая наблюдавшееся снижение уровня упругих напряжений от сросшихся участков интерфейса как результат упругой релаксации свободных поверхностей полостей искусственного рельефа, выражавшейся в виде их прогиба и перемещения.
  1. J.B. Lasky. Appl. Phys. Lett. 48, 1, 78 (1986)
  2. W.P. Maszara, G. Goetz, A. Caviglia, J.B. McKitterick. J. Appl. Phys. 64, 10, 4943 (1988)
  3. M. Shimbo, K. Furukawa, K. Fukuda, K. Tanzawa. J. Appl. Phys. 60, 8, 2987 (1986)
  4. R. Stengl, T. Tan, U. Goesele. Jap. J. Appl. Phys. 28, 10, 1735 (1989)
  5. Q.-Y. Tong, U. Goesele. J. Electrochem. Soc. 143, 5, 1773 (1996)
  6. R. Lindner, R. Hoffman-Tikkanen. Springer Proc. Phys. 35, Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg (1989). 35, 219
  7. A. Laporte, G. Sarrabayrouse, L. Lescouzeres et al. Proc. 6 -th Int. Symposium Power Semiconductor Devices \& IC's. Davos, Switzerland (1994). P. 283
  8. T. Abe, A. Uchiyama, K. Yoshizawa, Y. Nakazato, M. Miyawaki, T. Ohmi. Jap. J. appl. Phys. 29, 12, L2315 (1990)
  9. F. Widdershoven, J. Haisma, J. Naus. J. Appl. Phys. 68, 12, 6253 (1990)
  10. S. Bengtsson. J. Electronic Materials 21, 8, 841 (1992)
  11. A. Yamada, Bai-Ling Jiang, G.A. Rozgonyi, H. Shirotory, O. Okabayshi, M. Kawashima. J. Electrochem. Soc. 138, 8, 2468 (1991)
  12. W.P. Maszara, B-L. Jiang, A. Yamada, G.A. Rosgonyi, H. Baumgart, A.J.R. de Kock. J. Appl. Phys. 69, 1, 257 (1991)
  13. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
  14. B-Y. Tsaur, J.C.C. Fan, M.W. Geis. Appl. Phys. Lett. 40, 4, 322 (1982)
  15. I.V. Grekhov, T.S. Argunova, L.S. Kostina, T.V. Kudryavtzeva, E.D. Kim, S.C. Kim. Electronics Letters 31, 23, 20 (1995)
  16. Т.С. Аргунова, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева, Е.Д. Ким, Д.М. Парк. ФТТ 38, 11, 3361 (1996)
  17. E.D. Kim, S.C. Kim, J.M. Park, I.V. Grekhov, T.S. Argunova, L.S. Kostina, T.V. Kudryavtzeva. J. Electrochem. Soc. 144, 2, 622 (1997)
  18. И.В. Грехов, Л.С. Берман, Т.С. Аргунова, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева, Е.Д. Ким, С.С. Ким, Д.М. Парк. Письма в ЖТФ 22, 12, 14 (1996)
  19. T.S. Argunova, I.V. Grekhov, L.S. Kostina, T.V. Kudryavtseva, M.Yu. Gutkin, J. Hartwig, E-D. Kim, S-C. Kim, N-K. Kim. Jap. J. Appl. Phys. 37, 12A, 62 (1998)
  20. A. Authier., Adv. X-ray Analysis. Plenum 10, 9 (1967)
  21. "Прямые методы исследования дефектов в кристаллах" / Под ред. А.М. Елистратова. Мир, М. (1965). 351 с
  22. "Characterization of Crystal Growth Detected by X-Ray Methods" / Ed. by B.K. Tanner, D.K. Bowen. Plenum, N. Y. (1980)
  23. R. Barrett, J. Baruchel, J. Hartwig, F. Zontone. J. Phys. D28, A250 (1995)
  24. U. Bonse, W.Z. Graeff. Naturf. 28a, 5, 558 (1973)
  25. К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, М. (1986). 660 с
  26. Н.А. Борисевич, В.Г. Верещагин, М.А. Велидов. "Инфракрасные фильтры". Наука и Техника, Минск (1971). 226 с
  27. M. Cardona, W. Paul, H. Brooks. J. Phys. Chem Solids 8, 204 (1959)
  28. Ю.А. Концевой, Ю.А. Литвинов, Е.А. Фаттахов. "Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур". Радио и связь, М. (1982). 240 c
  29. M.Yu. Gutkin, E.C. Aifantis. Scripta Materialia 1996, 35, 11, 1353 (1996)
  30. M.Yu. Gutkin, E.C. Aifantis. Scripta Materialia 36, 1, 129 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme