Вышедшие номера
Асимптотическое приближение теории многократного рассеяния в дифракции очень медленных электронов на поверхности металлов
Вольф Г.В.1, Чубурин Ю.П.1, Федоров Д.В.1, Строков В.Н.2
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: wolf@otf.fti.udmurtia.su
Поступила в редакцию: 4 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Асимптотическое приближение теории многократного рассеяния использовано для анализа интенсивностей дифракции электронов очень низких энергий (VLEED - very low-energy electron diffraction). Получено аналитическое соотношение между амплитудами блоховских волн, возбуждаемых в кристалле (и, таким образом, VLEED-интенсивностями), и критическими точками зон неограниченного кристалла. Возможности нового подхода сравниваются с расчетом коэффициентов парциального прохождения электронов методом сшивки, обычно используемым при интерпретации VLEED. При сравнимой точности предложенный подход прост и свободен от эффектов нестабильности, свойственных расчетам методом сшивки. Ясная связь получаемых этим методом величин с законом дисперсии электронов бесконечного кристалла делает его перспективным для анализа эффектов зонной структуры в экспериментах VLEED и фотоэмиссии.