Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии процессов роста и самоорганизации наноструктур Ge на вицинальных поверхностях Si(111)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: olshan@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
С помощью сканирующей туннельной микроскопии in situ исследованы начальные стадии роста Ge на вицинальных поверхностях Si(111), отклоненных в направлениях [112] и [112], в интервале температур 350-500oC. Показано, что на поверхностях, отклоненных в направлении [112], при низких потоках Ge в диапазоне 10-2-10-3 BL/min возможно формирование упорядоченных нанопроволок Ge в режиме ступенчато-слоевого роста. Высота нанопроволок Ge составляет одно и три межплоскостных расстояния и задается высотой исходной ступени кремния. Установлено, что в процессе эпитаксии ступени с фронтом по направлению [112] заменяются на ступени с фронтом по направлению [112], в результате чего край ступени принимает зубчатую форму. Поэтому на ступенчатых поверхностях Si(111), отклоненных в направлении [112], формирование ровных и однородных по ширине нанопроволок Ge затруднено. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-16138) и Федеральной программы Министерства образования и науки РФ. PACS: 61.30.Hn, 61.46.Hk, 68.37.Ef
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Файхтлендер. ФТП 34, 11, 1281 (2000)
- А.Г. Макаров, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, В.М. Устинов, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП 37, 2193 (2003)
- Zhenyagn Zhong, A. Halilovic, M. Muhlberger, F. Schaffler, G. Bauer. Appl. Phys. Lett. 82, 445 (2003)
- Zhenyang Zhong, A. Halilovic, T. Fromherz, F. Schaffler, G. Bauer. Appl. Phys. Lett. 82, 4779 (2003)
- Zhenyang Zhong, A. Halolovic, M. Muhlberger, F. Schaffler, G. Bauer. J. Appl. Phys. 93, 6258 (2003)
- В.А. Егоров, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, В.Г. Талалаев, А.Г. Макаров, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, N.D. Zakharov, P. Werner. ФТТ 46, 53 (2004)
- H. Lichtenberger, M. Muhlberger, F. Schaffler. Appl. Phys. Lett. 86, 131 919 (2005)
- G. Jin, Y.S. Tang, J.L. Liu, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett. 74, 2471 (1999)
- D.J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman, N. Moriya, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett. 70, 1643 (1993)
- B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys. Surf. Sci. 230, 184 (1990)
- J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, J. Viernow, F.K. Men, D.J. Seo, F.J. Himpsel. J. Appl. Phys. 84, 255 (1998)
- J. Viernow, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.M. Leibsle, F.K. Men, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 72, 948 (1998)
- A. Kirakosian, R. Bennewitz, J.N. Crain, Th. Fauster, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 79, 1608 (2001)
- S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 37 (2002)
- J.A. Kubby, J.J. Boland. Surf. Sci. Rep. 26, 61 (1996)
- L.E.K. van de Leemput, H. van Kempen. Rep. Prog. Phys. 55, 1165 (1992)
- R.J. Phaneulf, E.D. Williams, N.C. Bartelt. Phys. Rev. B 38, 1984 (1988)
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Thin Solid Films 306, 205 (1997)
- J. Wei, X.-S. Wang, J.L. Goldberg, N.C. Bartelt, E.D. Williams. Phys. Rev. Lett. 68, 3885 (1992)
- T. Suzuki, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi. Surf. Sci. 496, 179 (2002)
- H. Tochihara, W. Shimada, M. Itoh, H. Tanaka, M. Udagawa, I. Sumita. Phys. Rev. B 45, 11 332 (1992)
- Ya. Wang, T. Tsong. Phys. Rev. B 53, 6915 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
