Исследована диэлектрическая проницаемость varepsilon фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика Sr_0.61Ba_0.39Nb₂O₆, легированного La и Ce, без воздействия освещения и при освещении с интенсивностью до 0.22 W/cm² в диапазоне длин волн 400-500 nm спектра поглощения кристалла. Измерения varepsilon проведены на частотах 1 kHz, 1 MHz, а также в смещающем постоянном поле 2 kV/cm при различных температурах. Обнаружено фотоиндуцированное увеличение varepsilon (фотодиэлектрический эффект), имеющее максимум в области температурного максимума диэлектрической проницаемости и пропорциональное интенсивности освещения. Обсуждаются особенности эффекта и возможное участие в нем процессов экранирования внутренних случайных неоднородных электрических полей фотоиндуцированными носителями заряда. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-17565). PACS: 77.22.Ch, 77.84.Dy, 77.90.+k

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.