Вышедшие номера
Квантовые поправки к сопротивлению нового нанообъекта --- 2D слоя на внутреннем интерфейсе: кластеры Te-матрица (опал)
Аверкиев Н.С.1, Богомолов В.Н.1, Березовец В.А.1,2, Нижанковский В.И.2, Романов К.С.1, Фарбштейн И.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Международная магнитная лаборатория, 53-421 Вроцлав, Польша
Email: iosif.farbshtein@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Экспериментально и теоретически исследовано низкотемпературное аномальное магнетосопротивление нового нанообъекта - 2D слоя на внутреннем интерфейсе: нанокластеры нелегированного теллура - диэлектрическая матрица (опал). 2D слой в структуре Te-опал представляет собой регулярную решетку сферических поверхностей, покрытых 2D проводящим дырочным слоем - "interface bubble lattice". Обнаруженные особенности магнетосопротивления качественно соответствуют теории квантовых поправок к сопротивлению, но проявляются в необычных для этого эффекта сильных магнитных полях (вплоть до 120 kOe). Развит метод расчета квантовых поправок к сопротивлению в рамках теории эффекта слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц, учитывающий сложность геометрической структуры объекта и особенности электронного спектра Te. Найдены параметры, характеризующие процессы релаксации фазы 2D дырок. Полученные результаты сопоставлены с известными данными для 2D слоев, созданных на плоской поверхности монокристаллического Te. Обсуждаются особенности проявления эффекта слабой локализации в системе неупорядоченных относительно ориентации магнитного поля 2D плоскостей. Работа поддержана РФФИ (грант N 06-02-16500а), научными программами РАН и Министерства науки и образования РФ (НШ-5596.2206.2). PACS: 73.63.-b, 73.20.Fz