Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квантовые поправки к сопротивлению нового нанообъекта --- 2D слоя на внутреннем интерфейсе: кластеры Te-матрица (опал)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Международная магнитная лаборатория, 53-421 Вроцлав, Польша
2Международная магнитная лаборатория, 53-421 Вроцлав, Польша
Email: iosif.farbshtein@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
Экспериментально и теоретически исследовано низкотемпературное аномальное магнетосопротивление нового нанообъекта - 2D слоя на внутреннем интерфейсе: нанокластеры нелегированного теллура - диэлектрическая матрица (опал). 2D слой в структуре Te-опал представляет собой регулярную решетку сферических поверхностей, покрытых 2D проводящим дырочным слоем - "interface bubble lattice". Обнаруженные особенности магнетосопротивления качественно соответствуют теории квантовых поправок к сопротивлению, но проявляются в необычных для этого эффекта сильных магнитных полях (вплоть до 120 kOe). Развит метод расчета квантовых поправок к сопротивлению в рамках теории эффекта слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц, учитывающий сложность геометрической структуры объекта и особенности электронного спектра Te. Найдены параметры, характеризующие процессы релаксации фазы 2D дырок. Полученные результаты сопоставлены с известными данными для 2D слоев, созданных на плоской поверхности монокристаллического Te. Обсуждаются особенности проявления эффекта слабой локализации в системе неупорядоченных относительно ориентации магнитного поля 2D плоскостей. Работа поддержана РФФИ (грант N 06-02-16500а), научными программами РАН и Министерства науки и образования РФ (НШ-5596.2206.2). PACS: 73.63.-b, 73.20.Fz
- В.А. Березовец, В.Н. Богомолов, И.И. Фарбштейн, В.И. Нижанковский. ФТТ 44, 1695 (2002)
- А. Березовец, И.И. Фарбштейн, А.Л. Шеланков. Письма в ЖЭТФ 39, 64 (1984)
- Н.С. Аверкиев, А. Березовец, Г.Е. Пикус, Н.И. Саблина, И.И. Фарбштейн. ФТТ 40, 1554 (1992)
- V.A. Berezovets, V.N. Bogomolov, I.I. Farbstein and V.I. Nizhankovskii. Proc of 11th Int. Symp. "Nano-structures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia (2003). P. 396
- A.L. Shelankov. Sol. Stat. Commun. 53, 465 (1985)
- Н.С. Аверкиев, Г.Е. Пикус. ФТТ 38, 964 (1996); ФТТ 39, 1659 (1997)
- А.А. Блистанов, В.С. Бондаренко, Н.В. Переломова и др. Акустические кристаллы. Справочник. Наука, М. (1982). 632 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
