Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2000, выпуск 2 » Статья стр. 210
<<<>>>
Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов HgTeS
Щенников В.В.1, Карькин А.Е.1, Гавалешко Н.П.1, Фрасуняк В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: phisica@ifm.e-burg.su
Поступила в редакцию: 24 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
PDF версия
Исследованы удельное сопротивление rho и константа Холла R кристаллов HgTe1-xSx (0.04=< x=< 0.6) в интервале температур 4.2-350 K в магнитных полях B до 14 T, а также барические зависимости rho в интервале давлений P до 1 GPa при T=77-300 K и B=0-2 T. Установлено, что образцы с x=< 0.20 имеют убывающую зависимость rho(T), свойственную бесщелевым полупроводникам, а с x<= 0.27 - типичную для полуметаллов. В полупроводниковых кристаллах с x~ 0.20 и x~ 0.14 обнаружено изменение знака температурного коэффициента rho(T) при T=265 и T>300 K соответственно. Под давлением ~ 1 GPa температура инверсии знака уменьшалась на ~ 30 K. У полупроводниковых образцов с ростом T и B изменялся знак R, а у полуметаллических - оставался электронным. Поведение R и rho коррелирует с данными термоЭДС, снятыми при квазигидростатическом P до 3 GPa. Показано, что замещение Te атомами серы увеличивает концентрацию электронов и снижает их подвижность. При P>1-1.5 GPa зафиксирован переход в фазу широкозонного полупроводника. Делается вывод об аналогии свойств полуметаллических кристаллов HgTe1-xSx c x<= 0.27 и HgSe. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 98-03-32656) и ГНТП "Физика квантовых и волновых процессов" ("Статистическая физика", проект N VIII-8).
  1. И.М. Цидильковский. Бесщелевые полупроводники --- новый класс веществ. Наука, М. (1986). 240 с
  2. А.А. Абрикосов, С.Д. Бенеславский. ЖЭТФ 59, 10, 1280 (1970)
  3. Б.Л. Гельмонт, М.И. Дъяконов. ЖЭТФ 62, 2, 713 (1972)
  4. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский. УФН 120, 3, 337 (1976)
  5. И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. Наука, М. (1972). 640 с
  6. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Воениздат СССР (1982). 208 с
  7. В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк, В.И. Осотов. ФТТ 37, 8, 2398 (1995)
  8. В.В. Щенников, А.Е. Карькин, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. ФТТ 39, 10, 1717 (1997)
  9. В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. ФТТ 37, 11, 3532 (1995)
  10. V.V. Shchennikov, V.I. Osotov, N.P. Gavaleshko, V.M. Frasunyak. In: High Pressure science and techology / Ed by W.A. Trzeciakowski. World Scientific Publishing Co, Singapore (1996). P. 493--495
  11. Е.И. Никольская, А.Р. Регель. ЖТФ 25, 8, 1347 (1955)
  12. Е.И. Никольская, А.Р. Регель. ЖТФ 25, 8, 1352 (1955)
  13. Б.Ф. Биленький, В.Г. Савицкий, А.К. Филатова. УФЖ 18, 10, 1729 (1973)
  14. R. Zallen, M. Slade. Solid State Commun. 8, 16, 1291 (1970)
  15. А.Е. Карькин, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е. Данилов, В.Л. Арбузов. ЖЭТФ 113, 5, 1787 (1998)
  16. L.G. Khvostantsev, L.F. Vereshchagin, N.M. Uliyanitskaya. High Temp.-High Press. 5, 3, 261 (1973)
  17. A.J. Miller, G.A. Saunders, Y.K. Yogurtchu, A.E. Abey. Phil. Mag. A43, 6, 1447 (1981)
  18. B.A. Lombos, E.Y.M. Lee, A.L. Kipling, R.W. Krawczyniuk. J. Phys. Chem. Sol. 36, 11, 1193 (1975)
  19. W. Paul, D.M. Warschauer. In: Solids under Pressure. W. Paul, D.M. Warschauer / Ed. by McGraw-Hill Book company, Inc., N.Y.--London (1963)
  20. П.С. Киреев. Физика полупроводников. Высшая шк., М. (1975). 584 с
  21. К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 615 с
  22. C.C. Kwan, J. Basinsky, E. Burstain. Phys. Stat. Sol. ( b) 48, 699 (1971)
  23. R. Piotrzkowski, S. Porowski, Z. Dziuba, J. Ginter, W. Giriat, L. Sosnowski. Phys. Stat. Sol. 8, K135 (1965)
  24. J. Blair, A.L. Smith. Phys. Rev. Lett. 7, 4, 124 (1961)
  25. И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТТ 24, 9, 2658 (1982)
  26. G.D. Pitt, J.H. McCartney, J. Less, D.A. Wright, J. Phys. D: Appl. Phys. 5, 7, 1330 (1972)
  27. J.H. Morissy, G.D. Pitt, M.K.R. Vyas. J. Phys. C: Solid State Phys. 7, 4, 113 (1974)
  28. S. Narita, M. Egawa, K. Suizu, M. Katayama, S. Mizukami. J. Appl. Phys. 2, 3, 151 (1973)
  29. A. Lacam, J. Peyronneau, L.J. Engel, B.A. Lombos. Chem. Phys. Lett. 18, 1, 129 (1973)
  30. В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. ФТТ 35, 2, 389 (1993)
  31. В.В. Щенников. ФММ 67, 1, 93 (1989)
  32. J.A. Majewski, P. Vogl. Phys. Rev. Lett. 57, 11, 1366 (1986)
  33. J.C. Gonthier, A. Raymond, J.L. Robert, R. Triboulet, J.P. Faurie. Semicond. Sci. Technol. 5, 3S, S217 (1990)
  34. S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B43, 2, 1662 (1991)
  35. M.A. Berding, A. Sher, A.-B. Chen. J. Appl. Phys. 68, 10, 5064 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme