Вышедшие номера
Взаимодействие дислокаций с радиационными дефектами в щелочно-галоидных кристаллах
Закревский В.А.1, Шульдинер А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.shuldiner@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Предложен механизм радиационного упрочения щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) при комнатной температуре. Показано, что разрушение дислокациями упрочняющих ЩГК дырочных центров окраски является причиной возникновения деформационно-стимулированной люминесценции.