Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле
Альшиц В.И.1, Урусовская А.А.1, Смирнов А.Е.1, Беккауер Н.Н.1
1Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
Email: public@mechan.incr.msk.su
Поступила в редакцию: 18 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Показано, что при активном деформировании кристаллов LiF в постоянном магнитном поле B наблюдается их заметная пластификация, тем более существенная, чем выше магнитная индукция B и чем ниже скорость деформации varepsilon. Измеренные зависимости предела текучести sigmay от B и varepsilon находят свое естественное объяснение в рамках простой кинетической модели, построенной на конкуренции процессов термоактивационного и магнитостимулированного открепления дислокаций от примесных центров.
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик. ФТТ 34, 1, 155 (1992)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова. Письма в ЖЭТФ 62, 4, 352 (1995)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик. Письма в ЖЭТФ 63, 8, 628 (1996)
- А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауер. Письма в ЖЭТФ 66, 6, 470 (1997)
- В.И. Альшиц, Н.Н. Беккауер, А.Е. Смирнов, А.А. Урусовская. ЖЭТФ 115, 3, 951 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
