Вышедшие номера
Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT
Ярмаркин В.К., Гольцман Б.М., Казанин М.М., Леманов В.В.
Поступила в редакцию: 9 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Исследованы не зависящие от поляризации сегнетоэлектрика Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) фотоэлектрические характеристики тонкопленочных структур металл-PZT-металл при воздействии излучением из различных участков спектра ртутно-дуговой лампы. Пленки PZT получены на подложках из платинированного кремния золь-гель-методом. Изучена релаксация тока короткого замыкания и напряжения холостого хода при различных значениях интенсивности освещения в диапазоне длин волн 300-1200 nm. Обнаружен эффект восстановления напряжения холостого хода после выключения освещения и кратковременной выдержки структур в закороченном состоянии. На основе анализа возможных причин появления фототока и фото-эдс сделан вывод о преобладающем вкладе барьерных фотовольтаических эффектов, связанных с наличием p-n-перехода в объеме пленок и барьера Шоттки в области пленки, примыкающей к нижнему платиновому электроду. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 98-02-18164) и программы "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-2017).