Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксированные буферные слои Si1-xGex / Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: anov@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении выращены релаксированные градиентные буферные слои Si1-xGex / Si(001), имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si1-xGex / Si(001) (x~ 25%) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si(001). Продемонстрировано, что полученные буферные слои Si1-xGex / Si(001) с низкой плотностью прорастающих дислокаций и малой шероховатостью поверхности могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания различных SiGe / Si-гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Работа выполнена при финансовой поддержке программ Минпромнауки РФ, Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16792), и программы BRHE (проект N Y1 P-01-05).
- F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol. 12, 1515 (1997)
- D.J. Paul, A. Ahmed, N. Griffin, M. Pepper, A.C. Churchill, D.J. Robbins, D.J. Wallis. Thin Solid Films 321, 181 (1998)
- H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett. 66, 953 (1995)
- J.L. Liu, S. Tong, Y.H. Luo, J. Wan, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett. 79, 3431 (2001)
- K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki. Mater. Sci. Eng. B 89, 406 (2002)
- О.А. Кузнецов, Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.М. Воротынцев, М.Г. Мильвидский, В.И. Вдовин, Р. Карлес. ФТП 27, 1591 (1993)
- В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Изд-во Нижегород. ун-та, Н. Новгород (1992)
- M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Money, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett. 66, 724 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
