Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрического кристалла ТГС
Сидоркин А.С.1, Пономарева Н.Ю.1, Миловидова С.Д.1, Сигов А.С.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов из образцов номинально чистого кристалла триглицинсульфата различной толщины. Показано, что так же как и коэрцитивное поле, пороговое поле возникновения эмиссии растет с уменьшением толщины d образца обратно пропорционально d. Работа выполнена при частичной поддержке гранта N 2801 по программе "Университеты России - фундаментальные исследования".
- А.М. Косцов, А.С. Сидоркин, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 24, 3436 (1982)
- Г.И. Розенман, В.А. Охапкин, Ю.Л. Чепелев, В.Я. Шур. Письма в ЖЭТФ 39, 397 (1984)
- K. Biedrzycki. Phys. Stat. Sol. (A) 109, K79 (1988)
- H. Gundel, J. Handerek, H. Riege. J. Appl. Phys. 69, 2, 975 (1991)
- K. Biedrzycki, R. Bihan. Ferroelectrics 12b, 253 (1992)
- A.S. Sidorkin, B.M. Darinskii. Ferroelectrics 111, 325 (1997)
- A.S. Sidorkin, S.D. Milovidova, N.Yu. Ponomareva, O.V. Rogazinskaya. Ferroelectrics 219, 23 (1998)
- А.С. Сидоркин, Н.Ю. Пономарева, С.Д. Миловидова. ФТТ 41, 9, 1675 (1999)
- А.С. Сидоркин, П.В. Логинов, А.М. Саввинов, А.Ю. Кудзин, Н.Ю. Короткова. ФТТ 38, 2, 624 (1996)
- A.S. Sidorkin, B.M. Darinskii, A.P. Lazarev, A.M. Kostsov. Ferroelectrics 143, 209 (1993)
- A.K. Tagantsev. Ferroelectrics 184, 79 (1996)
- Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, А.И. Соколов, Н.К. Юшин. Физические основы сегнетоэлектрических явлений. Наука, Л. (1985). 367 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук