Вышедшие номера
Свойства люминесценции эрбия в объемных кристаллах карбида кремния
Бабунц Р.А.1, Ветров В.А.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Романов Н.Г.1, Храмцов В.А.1, Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ivan.ilyin@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследована инфракрасная люминесценция ионов Er3+ в объемных кристаллах карбида кремния 6H-SiC, в которые эрбий был введен в процессе выращивания. Наличие центров эрбия различной симметрии в кристаллах контролировалось методом ЭПР. Наблюдалась интенсивная люминесценция ионов эрбия, представляющая собой ряд линий в области 1.54 mum. Люминесценция могла возбуждаться светом с энергией квантов как больше, так и меньше ширины запрещенной зоны SiC. Обнаружены необычные температурные свойства этой люминесценции: интенсивность люминесценции резко возрастала при повышении температуры от 77 K, достигала максимума при ~240 K и падала до уровня, наблюдаемого при 77 K, в области ~400 K. Произведенная оценка величин энергии активации возгорания и тушения люминесценции Er3+ дала величины EA~130 и ~350 meV соответственно. Обсуждаются механизмы возгорания и тушения люминесценции ионов Er3+ в SiC. Работа была частично поддержана грантом по программе "Физика твердотельных наноструктур" N 99-3012 и NWO по гранту N 047.005.12.96.
  1. В.Ф. Мастеров. ФТП 27, 1435 (1993) и ссылки в ней
  2. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991)
  3. A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997)
  4. W. Jantsch, H. Przybylinska. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. Berlin, July 21--26 (1996) / Ed. by M. Schefler, R. Zimmermann. World Scientific, Singapore--New Jersey--London--Hong--Kong. P. 3025
  5. W.J. Choyke, R.P. Devaty, L.L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, Ch. Haessler. Appl. Phys. Lett. 65, 1668 (1994)
  6. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 103, 291 (1997); П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 5, 865 (1999)
  7. П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Б. Певцов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 1, 38 (1999)
  8. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn. 5, 729 (1979)
  9. M. Kunzer, H.D. Mueller, U. Kaufmann. Phys. Rev. B48, 10 846 (1993)
  10. W.I. Choyke, R.P. Devaty, M. Yoganathan, G. Pensl, J.A. Edmond. Shallow--Level Centers in Semiconductors. Amsterdam, 17--19 July (1996). P. 297 / Ed. by C.A.J. Ammerlaan, B. Pajot. World Scientific Publishing Company (1997)
  11. G.D. Watkins. ФТТ 41, 5, 826 (1999) и ссылки в ней
  12. Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП 29, 1591 (1995); Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП 31, 1037 (1997)
  13. H. Przybylinska, W. Jantsh, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetschofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B54, 2532 (1996-II)
  14. L.S. Kimerling, K.D. Kolenbrander, J. Michel, J. Palm. Solid State Phys. 50, 333 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.