Динамическая магнитная восприимчивость двухслойной пленки в сильном магнитном поле
Сукстанский А.Л.1, Ямпольская Г.И.1
1Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, Донецк, Украина
Email: yampolsk@kinetik.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 29 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Проведено теоретическое исследование влияния межслойного обменного взаимодействия на резонансные свойства двухслойной магнитной пленки с анизотропией слоев "легкая ось" и "легкая плоскость" в достаточно сильном наклонном магнитном поле. Получена зависимость резонансных полей от угла наклона внешнего поля относительно пленки, найден тензор интегральной высокочастотной восприимчивости пленки и проанализирована его зависимость от величины и ориентации внешнего поля, а также от толщины слоев. Полученные результаты согласуются с имеющимися экспериментальными данными.
- E. Goto, N. Hayashi, T. Miyashita, K. Nakagava. J. Appl. Phys. 36, 9, 2951 (1951)
- F.B. Hagedorn. J. Appl. Phys. 41, 6, 2491 (1970)
- Ю.Г. Лебедев, Е.И. Раевский, Ю.К. Миляев, В.Я. Раевский. Микроэлектроника 14, 6, 501 (1985)
- В.Б. Садков, Г.А. Шматов. Препринт N 88/5. Свердловск (1988). 40 c
- A.M. Grishin, V.S. Dellalov, V.F. Shkar, E.I. Nikolaev, A.I. Linnik. Phys. Lett. A140, 3, 133 (1989)
- Н.К. Даньшин, В.С. Деллалов, М.А. Кольцов, Е.И. Николаев, В.Ф. Шкарь. ЖЭТФ 110, 3(9), 938 (1996)
- В.Ф. Шкарь, И.М. Макмак, В.В. Петренко, М.М. Ларионов. Письма в ЖЭТФ 56, 5, 251 (1992)
- А.В. Кобелев, Я.Г. Смородинский. ФТТ 31, 10, 6 (1989)
- В.А. Игнатченко. ФММ 36, 6, 1219 (1973)
- F. Hoffman, A. Stankoff, H. Pascard. J. Appl. Phys. 41, 3, 1022 (1970)
- G. Rado, J. Weertman. Phys. Rev. 94, 4, 1386 (1954)
- А.Л. Сукстанский, Г.И. Ямпольская. ФТВД 8, 3, 65 (1998)
- А.Л. Сукстанский, Г.И. Ямпольская. ФТВД 9, 2, 43 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук