Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: yukhum@isp.kiev.ua
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
С помощью спектроскопии КРС и электроотражения исследованы SiGe-наноостровки в кремниевой матрице, выращенные в интервале температур от 300 до 600oC. Для островков, сформированных при относительно низких температурах (300-500oC), загеристрирован дублетный характер фононных полос. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Как следствие изменяются резонансные условия процесса КРС. Установлено, что процесс интердиффузии из кремниевой подложки и покровного слоя, определяющий смешанный SiGe-состав наноостровков, оказывается актуальным даже при низких (300-400oC) температурах выращивания наноструктур. Работа выполнена при поддержке гранта INTAS NANO N 01-444.
- V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995)
- K. Bruner. Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002)
- J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dasol, J.O. Chu. J. Appl. Phys. 75, 8096 (1994)
- J.L. Liu, J. Wan, Z.M. Jiang, A. Khitun, K.L. Wang, D.P. Yu. J. Appl. Phys. 92, 6804 (2002)
- Z.F. Krasil'nik, P.M. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Novikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchu. Nanotechnology 13, 81 (2002)
- D.E. Aspnes. Surf. Sci. 37, 418 (1973)
- A.G. Milekhin, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S. Schulze, D.R.T. Zahn. Nanotechnology 13, 55 (2002)
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000)
- M.W. Dashiell, U. Denker, C. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett. 80, 1279 (2002)
- J.S. Kline, F.H. Pollak, M. Cardona. Helv. Phys. Acta 41, 968 (1968)
- H.K. Shin, D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau. Solid State Commun. 114, 505 (2000)
- P.H. Tan, K. Brunner, D. Bougeard, G. Abstreiter. Phys. Rev. B 68, 125 302 (2003)
- M.A. Araujo Silva, E. Riberio, P.A. Schulz, F. Cerdeira, J.C. Bean. Phys. Rev. B 53. 15 871 (1996)
- T.P. Pearsall, F.H. Pollak, J.C. Bean, R. Hull. Phys. Rev. B 33, 6821 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
