Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства фаз высокого давления теллуридов галлия и индия
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
Email: physica@ifm.e-burg.su
Поступила в редакцию: 1 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Исследованы сопротивление rho, термоэдс (S) и магнитосопротивление MR монокристаллов Ga2Te3 и alpha-In2Te3 в интервале давлений P до 25 GPa. Наблюдалось резкое уменьшение rho и |S| при ~ 0-5 и ~ 1.5-3 GPa. По изменению знака температурного коэффициента rho в интервале 77-300 K установлены фазовые переходы полупроводник-металл при P>4.4 и 1.9 GPa. Величины S~ +(10-20) muV/K металлических фаз (имеющих структуру типа Bi2Te3) соответствуют значениям для жидких In2Te3 и Ga2Te3. В In2Te3 обнаружен отрицательный эффект MR (P~ 1.9 GPa). В Ga2Te3 до 25 GPa эффект MR отсутствовал. Обсуждается изменение электронной структуры In2Te3 и Ga2Te3 под давлением. Работа частично поддержана государственной программой поддержки ведущих научных школ (грант N 96-15-96515) и РФФИ (проект N 98-03-32656).
- В.П. Жузе, В.М. Сергеева, А.И. Шалых. ФТТ 2, 11, 2858 (1960)
- D.N. Bose, S. Sen, D.K. Josih, S.N. Vaidya. Mater. Lett. 1, 2, 61 (1982)
- S. Sen, D.N. Bose. Solid State Commun. 50, 1, 39 (1984)
- A.T. Nagat, M.M. Nassary, H.A. El-Shaikh. Semicond. Sci. Technol. 6, 10, 979 (1991)
- M. Takumi, Y. Koshio, K. Nagata. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 123 (1999)
- Y.G. Gurevich, V.M. Koshkin, I.N. Volovichev. Solid State Electronics 38, 1, 235 (1995)
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. Наука, М. (1975). 220 с
- М. Катлер. Жидкие полупроводники. Мир, М. (1980). 256 с. [M. Cutler. Liquid semiconductors. Academic Press, N. Y.--San Francisco--London (1977)]
- S. Geller, A. Jayaraman, G.W. Hull, jr. J. Phys. Chem. Solids 26, 2, 353 (1965)
- N.R. Serebryanaya. Powder Diffr. 7, 2, 99 (1992)
- P.B. Littlewood. CRC Critical Rev. in Sol. State and Materials Sci. 11, 3, 229 (1984)
- L.G. Khvostansev, A.I. Orlov, N.Kh. Abrikosov, T.E. Svechnikova, S.N. Chizhevskaya. Phys. Stat. Sol. (a) 71, 1 49 (1982)
- И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТП 17, 5, 958 (1983)
- В.В. Щенников. ФТТ 35, 3, 783 (1993)
- Л.Ф. Верещагин, С.С. Кабалкина. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М. (1979). 174 с
- K.V. Savchenko, V.V. Shchennikov. Can. J. Phys. 72, 5--6, 681 (1994)
- А.А. Абрикосов. Основы теории металлов. Наука, М. (1987). 520 с
- С.А. Обухов. Препринт ФТИ. N 1459. Л. (1991). 21 с
- Б.А. Волков, О.А. Панкратов, С.В. Пахомов. ЖЭТФ 86, 6, 2293 (1984)
- J.P. Gaspard, F. Marinelli, A. Pellegatti. Europhys. Lett. 3, 10, 1095 (1987)
- В.А. Кульбачинский, В.В. Щенников, Я. Горак, П. Лоштяк. ФТТ 36, 2, 526 (1994)
- W. Becker, K.-J. Range, A. Weiss. Z. Naturforsch 23b, 11, 1545 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
