Вышедшие номера
Электрические свойства фаз высокого давления теллуридов галлия и индия
Щенников В.В.1, Савченко К.В.1, Попова С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: physica@ifm.e-burg.su
Поступила в редакцию: 1 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Исследованы сопротивление rho, термоэдс (S) и магнитосопротивление MR монокристаллов Ga2Te3 и alpha-In2Te3 в интервале давлений P до 25 GPa. Наблюдалось резкое уменьшение rho и |S| при ~ 0-5 и ~ 1.5-3 GPa. По изменению знака температурного коэффициента rho в интервале 77-300 K установлены фазовые переходы полупроводник-металл при P>4.4 и 1.9 GPa. Величины S~ +(10-20) muV/K металлических фаз (имеющих структуру типа Bi2Te3) соответствуют значениям для жидких In2Te3 и Ga2Te3. В In2Te3 обнаружен отрицательный эффект MR (P~ 1.9 GPa). В Ga2Te3 до 25 GPa эффект MR отсутствовал. Обсуждается изменение электронной структуры In2Te3 и Ga2Te3 под давлением. Работа частично поддержана государственной программой поддержки ведущих научных школ (грант N 96-15-96515) и РФФИ (проект N 98-03-32656).