Вышедшие номера
Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si
Никифоров А.И.1, Ульянов В.В.1, Пчеляков О.П.1, Тийс С.А.1, Гутаковский А.К.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nikif@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Приведены экспериментальные результаты исследований начальных стадий роста пленки германия на атомарно-чистой окисленной поверхности кремния. Показано, что в данной системе рост пленки германия происходит в соответствии с механизмом Фольмера-Вебера. На окисленной поверхности кремния образуются упругонапряженные островки с латеральным размером менее 10 nm и плотностью 2·1012 cm-2. При толщинах пленки более 5 монослоев наряду с ними образуются островки германия с латеральными размерами до 200 nm и плотностью 1.5·109 cm-2, которые полностью срелаксированы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506) и INTAS (грант N 03-51-5051).