Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле
Алешкин В.Я.1, Антонов А.В.1, Векслер Д.Б.1, Гавриленко В.И.1, Ерофеева И.В.1, Иконников А.В.1, Козлов Д.В.1, Кузнецов О.А.2, Спирин К.Е.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dvkoz@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Экспериментально и теоретически исследованы мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле. Показано, что наряду с линиями циклотронного резонанса в спектрах магнитопоглощения наблюдаются переходы с основного состояния акцептора на возбужденные состояния, связанные с уровнями Ландау из первой и второй подзон размерного квантования, а также резонансы, обусловленные ионизацией A+-центров. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-02-16808, 04-02-17178), Российской академии наук, Министерства образования и науки РФ и ФЦП "Интеграция" (проект N Б0039/2102).
- В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.Л. Коротков, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никоноров, Л.В. Парамонов. Письма в ЖЭТФ 65, 196 (1997)
- V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, D.V. Kozlov, A.L. Korotkov, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya. Phys. Stat. Sol. (b) 210, 649 (1998)
- В.Я. Алешкин, Б.А. Андреев, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. ФТП 34, 582 (2000)
- V.Ya. Aleshkin, B.A. Andreev, V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, D.V. Kozlov, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, A.V. Novikov. Physica E 7, 3--4, 608 (2000)
- V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, D.B. Veksler, L. Reggian. Phys. Rev. B 66, 155 336 (2002)
- В.Я. Алешкин, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. Матер. совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (2003). С. 248
- V.Ya. Aleshkin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, A.V. Ikonnikov, D.B. Kozlov, O.A. Kuznetsov, D.B. Veksler. Proc. 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia (2003). P. 214
- В.Я. Алешкин, А.В. Антонов, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. ФТТ 46, 1, 126 (2004)
- V.Ya. Aleshkin, B.A. Andreev, V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, D.v. Kozlov, O.A. Kuznetsov. Nanotechnology 11, 4, 348 (2000)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Наука, М. (1987)
- В.Я. Алешкин, Д.Б. Векслер, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, J. Leotin, F. Yang. Матер. совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (1999). С. 114
- V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.L. Vakx, D.B. Beksler. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia (1999). P. 356
- В.Я. Алешкин, Д.Б. Векслер, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, Ф. Янг, М. Гуаран, Ж. Леотен. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 308 (2000)
- В.Я. Алешкин, А.В. Антонов, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов, К.Е. Спирин. Матер. совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (2004). С. 129
- S. Huant, W. Knap, R. Stepniewski, G. Martinez, V. Thierry-Mied, B. Etienne. In: High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II / Ed. G. Landwehr. Springer Series in Solid-State Sciences. Springer Verlag, Berlin (1989). V. 87. P. 293
- В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. Матер. совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (2003). С. 318
- A.B. Dzyubenko. Phys. Lett. A 165, 357 (1992)
- В.Я. Алешкин, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. ФТТ 46, 1, 31 (2004)
- С.В. Мешков, Э.И. Рашба. ЖЭТФ 76, 6, 2206 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.