Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2000, выпуск 9 » Статья стр. 1657
<<<>>>
Влияние кристаллической структуры подложки на магнитные, электрические и кристаллографические свойства эпитаксиальных пленок La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3
Абрамович А.И.1, Горбенко О.Ю.1, Кауль А.Р.1, Королева Л.И.1, Мичурин А.В.1, Шимчак Р.2, Деев С.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
Email: koroleva@ofef343.phys.msu.su
Поступила в редакцию: 11 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
PDF версия
Изучено электросопротивление rho, магнитосопротивление Deltarho/rho и намагниченность эпитаксиальных пленок La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3 на подложках из ZrO2(Y2O), SrTiO3, LaAlO3 и MgO. В первой пленке реализуются четыре эквивалентных варианта кристаллографической ориентации в плоскости образца, тогда как у трех других - одна ориентация. У первой пленки по сравнению с тремя другими максимумы rho и Deltarho/rho в районе точки Кюри TC сильно расширены, при этом сама величина rho на 1.5 порядка выше, а большое отрицательное магнитосопротивление (|Deltarho/rho|~ 10% в поле 8.4 kOe) наблюдается при температурах 80=<q T=<q 200 K. У всех пленок при 5 K магнитный момент на молекулу на ~ 46% меньше чисто спинового значения, что вызвано существованием магнито-разупорядоченных областей. Повышенная величина rho у пленки на ZrO2(Y2O3) обусловлена электросопротивлением границ между областями с различной кристаллографической ориентацией, а магнитосопротивление связано с туннелированием поляризованных носителей заряда через те границы, которые совпадают с доменными стенками. Низкотемпературное магнитосопротивление в полях выше технического насыщения вызвано сильным p-d обменом внутри спин-упорядоченных областей. Работа выполнена при поддержке ИНТАС (проекты N 97-open-30253 и 97-0963).
  1. G.H. Jonker, J.H. van Santen. Physica 16, 3, 337 (1950)
  2. C. Searle, S. Wang, Can. J. Phys. 48, 17, 2023 (1970)
  3. О.Ю. Горбенко, Р.В. Демин, А.Р. Кауль, Л.И. Королева, Р. Шимчак. ФТТ 40, 2, 290 (1998)
  4. O.Yu. Gorbenko, A.R. Kaul, N.A. Babushkina, L.M. Belova, J. Mater. Chem. 7, 5, 747 (1997)
  5. Э.Л. Нагаев. УФН 166, 8, 833 (1996)
  6. A.P. Ramirez. J. Phys.: Condens. Matter. 9, 7, 8171 (1997)
  7. Y. Tokura, Y. Tomioka. J. Magn. Magn. Mater. 200, 1, 1 (1999)
  8. H.L. Ju, J. Gopalakrishnan, J.L. Peng, Q. Li, G.C. Xiong, T. Venkatesan, R.L. Greene. Phys. Rev. B51, 9, 6143 (1995)
  9. P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 75, 18, 3336 (1995)
  10. A. Gupta, G.Q. Gong, G. Xiao, P.R. Duncombe, P. Lecoeur, P. Trouilloud, Y.Y. Wang, V.P. Dravde, J.Z. Sun. Phys. Rev. B54, 22, R15 629 (1996)
  11. H.Y. Hwang, S.-W. Cheong, N.P. Ong, B. Batlogg. Phys. Rev. Lett. 77, 10, 2041 (1996)
  12. R. Shreekala, M. Rajeswari, K. Ghosh, A. Goyal, J.Y. Gu, C. Kwon, Z. Trajanovic, T. Boettcher, R.L. Greene, R. Ramesh, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 71, 2, 282 (1997)
  13. R. Mahesh, R. Mahendiran, A.K. Raychaudhuri, C.N.R. Rao. Appl. Phys. Lett. 68, 16, 2291 (1996)
  14. J.-H. Park, C.T. Chen, S.-W. Cheong, W. Bao, G. Meigs, V. Chakarian, Y.U. Idzeral. Phys. Rev. Lett. 76, 22, 4215 (1996)
  15. P. Raychaudhuri, T.K. Nath, A.K. Nigam, R. Pinto. J. Appl. Phys. 84, 4, 2048 (1998)
  16. E.S. Vlakhov, R.A. Chakalov, R.I. Chakalova, K.A. Nenkov, K. Dorr, A. Handstein, K.-H. Muller. J. Appl. Phys. 83, 4, 2152 (1998)
  17. D.K. Petrov, A. Gupta, J.R. Kirtley, L. Krusin-Elbaum, H.S. Gill. J. Appl. Phys. 83, 11, 7061 (1998)
  18. A.K.M. Akter Hossain, L.F. Cohen, F. Damay, A. Berenov, J. Macnanus-Driscoll, N.McN. Alford, N.D. Mathur, M.G. Blamire, J.E. Evetts. J. Magn. Magn. Mater. 192, 2, 263 (1999)
  19. T. Walter, K. Dorr, K.-H, Muller, B. Holzapfel, D. Eckert, M. Wolf, D. Schlafer, L. Schultz, R. Grotzschel. Appl. Phys. Lett. 74, 15, 2218 (1999)
  20. V.G. Bar'yakhtar, A.N. Pogorilyi, N.A. Belous, A.I. Tovstolytkin. J. Magn. Magn. Mater. 207, 1, 118 (1999)
  21. M. Ziese, S.P. Sena, H.J. Blythe. J. Magn. Magn. Mater. 202, 2, 292 (1999)
  22. Fu Yonglai, C.K. Ong. J. Magn. Magn. Mater. 208, 1, 69 (2000)
  23. G. Papavassiliou, M. Fardis, F. Milia, M. Pissas, G. Kallias, D. Niarchos, C. Dimitropoulos, P. Scherrer. Phys. Rev. B58, 18, 12 237 (1998)
  24. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. М. (1979). 431 с
  25. H. Berger. Phys. Stat. Sol. 1, 2, 739 (1961)
  26. M. Bibes, O. Gorbenko, B. Martinez, A. Kaul, J. Fontcuberta. J. Magn. Magn. Mater. 209 (2000), in press
  27. Y. Suzuki, H.Y. Hwang, S.-W. Cheong, T. Siegrist, R.B. van Dover, A. Asamitsu, Y. Tokura. J. Appl. Phys. 83, 11, 7064 (1998)
  28. А. Хуберт. Теория доменных стенок в упорядоченных средах. М. (1977). 306 с
  29. E.L. Nagaev. Phys. Lett. A211, 5, 313 (1996)
  30. L.M. Rodriguez, J.P. Attfield. Phys. Rev. B58, 5, 2426
  31. V.A. Bokov, N.A. Grigoryan, M.F. Bryzhina, V.V. Tikhonov. Phys. Stat. Sol. 28, 2, 835 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme