Приводятся экспериментальные данные по изучению влияния света на акустические характеристики кристалла HgI₂ для двух уровней амплитуды колебательной деформации, один из которых находится в области амплитудно-назависимого (АНЗ), другой - в области амплитудно-зависимого поглощения ультразвука (АЗПУ). По результатам этих исследований получены спектральные характеристики фотоакустического эффекта (ФАЭ) как для декремента, так и для модуля Юнга кристалла HgI₂. Показано, что при воздействии на образец интенсивного ультразвука спектры ФАЭ в ряде случаев претерпевают существенные изменения по сравнению со спектрами ФАЭ, полученными для малых амплитуд (область АНЗПУ). Эти изменения могут быть связаны как с диффузией фоточувствительных точек закрепления дислокаций (центров захвата фотоносителей), так и с процессом рождения-аннигиляции этих центров под действием света и высоких амплитуд из области АЗПУ. Показано, что возбуждение электронно-дырочных пар, захваченных вакансиями или междоузлиями иода или ртути, также может оказывать заметное влияние на подвижность дислокаций в HgI₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.