Морфология поверхностей (001) и (110) кристаллических слоев твердых растворов соединений II--VI с большим содержанием ZnSe в атмосферных условиях
Анкудинов А.В.1, Дунаевский М.С.1, Марущак В.А.1, Титков А.Н.1, Иванов С.В.1, Сорокин С.В.1, Шубина Т.В.1, Копьев П.С.1, Baar A.2, Ландвер Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Physikalisches Institut der Universitat Wurzburg, Wurzburg, Germany
Поступила в редакцию: 10 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Методом атомно-силовой микроскопии исследовалось влияние атмосферных условий на морфологию ростовых поверхностей (001) и сколов (110) слоев соединений II-VI с высоким содержанием ZnSe. Впервые непосредственно показано, что формирование нанокластеров на таких поверхностях сопровождается коррозией всей поверхности и происходит за счет накопления продуктов коррозии. Коррозия поверхности насыщается на глубине уже в несколько монослоев (2-3 монослоя), что задает предел суммарного объема нанокластеров на поверхности. Дальнейшее увеличение размера нанокластеров во времени происходит за счет уменьшения их числа. Глубина коррозии может локально сильно возрастать в местах поверхности со значительными внутренними напряжениями и, в частности, развиваться глубоко внутрь напряженных интерфейсов в приборных структурах. Работа выполнена при поддержке Фонда Фольксваген и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16948).
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett. 74, 498 (1999)
- Q. Xie, A. Kalburge, P. Chen, A. Madhukar. Photonics Technol. Lett. 8, 965 (1996)
- N. Kirstaedter, O.G. Shmidt, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett. 69, 1226 (1996)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 83, 3168 (1998)
- D. Hommel, K. Leonardi, H. Heinke, H. Selke, K. Ohkawa, F. Gindele, U. Woggon. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 835 (1997)
- H. Kirmse, R. Schneider, M. Rabe, W. Neumann, F. Henneberger. Appl. Phys. Lett. 72, 1329 (1998)
- A. Sitnikova, S. Sorokin, T. Shubina, I. Sedova, A. Toropov, S. Ivanov, M. Willander. Thin Solid Films 336, 76 (1998)
- T. Shubina, S. Sorokin, A. Toropov, I. Sedova, A. Sitnikova, A. Ankudinov, A. Titkov, S. Ivanov, I. Yamakawa, M. Ichida, A. Nakamura. Proc. of the 24th International Conference on the Physics Semiconductors, Jerusalem, Israel. Mo-P33 (1998)
- J.C. Kim, H. Rho, L.M. Smith, H.E. Jackson, S. Lee, M. Dobrowolska, J.L. Merz, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett. 73, 3399 (1998)
- T. Kummell, R. Weigand, G. Bacher, A. Forchel, K. Leonardi, D. Hommel, H. Seike. Appl. Phys. Lett. 73, 3106 (1998)
- R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett. 75, 373 (1999)
- R. Notzel. Semicond. Sci. Technol. 11, 1365 (1996)
- S.H. Xin, P.D. Wang, A.Yin, C. Kim, M. Dobrowolska, J.L. Merz, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett. 69, 3884 (1995)
- M. Arita, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, T. Numai, H. Machida, N. Shimoyama. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 36, 4097 (1996)
- H.-C. Ko, D.-C. Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita. Appl. Phys. Lett. 70, 3278 (1997)
- S. Lee, I. Daruka, C.S. Kim, A.-L. Barabasi, J.L. Merz, J.K. Furdyna. Phys. Rev. Lett. 81, 3479 (1998)
- J.B. Smathers, E. Kneedler, B.R. Bennet, B.T. Jonker. Appl. Phys. Lett. 72, 1238 (1998)
- X.B. Zhang, S.K. Hark. Appl. Phys. Lett. 74, 3857 (1999)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 83, 3168 (1998)
- http://members.xoom.com/Alex/Kryzh
- И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ 35, 479 (1958)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 7. Теория упругости. Наука, М. (1987). С. 49
- R. Chicon, M. Ortuno, J. Abellan. Surf. Science. 181, 107 (1987)
- C. Verie. Journal of Electronic Materials 27, 782 (1998)
- A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett. 75, 2626 (1999).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.