Спектр фундаментального отражения и электронная структура CdTe, легированного примесью хлора
Ткачук П.Н.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Email: ptkachuk@chdu.cv.ua
Поступила в редакцию: 7 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Исследовано влияние примеси хлора на спектр фундаментального отражения и электронную структуру кристаллов теллурида кадмия. При концентрации примеси NCl>5.0· 1019 cm-3 в спектрах отражения появляется пик, обусловленный переходом электронов в X-точке зоны Бриллюэна из верхней расщепленной валентной зоны на уровни Cl, расположенные на 0.05 eV выше Gamma-минимума зоны проводимости. Другие особенности спектров отражения и электронной структуры объясняются влиянием спин-орбитального расщепления в точке X и непрямыми переходами электронов из уровней Cl в Gamma-минимум.
- K.R. Zanio. In: Semiconductors and semimetals. Vol. 113. Academic press, N.Y.--San Francisco (1978). 235 p
- G.W. Iseler, J.A. Kafalas, A.J. Strauss, H.F. Macmillan, R.H. Bube. Solid State. Commun. 10, 619 (1972)
- R.O. Bell, F.V. Wald. IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-22, 241 (1975)
- P.N. Tkachuk, V.I. Tkachuk, N.D. Korbutjak, A.N. Razansky, D.V. Korbutjak, S.G. Krylyuk. J. Cryst. Growth. 184/185, 536 (1998)
- R. Legros, Y. Marfaing, R.J. Tribulet. Phys. Chem. Solid. 39, 179 (1978)
- D.V. Korbutjak, S.G. Krylyuk, P.M. Tkachuk, V.I. Tkachuk, N.D. Korbutjak, M.D. Razansky. J. Cryst. Growth. 197, 659 (1999)
- Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. М. (1989). 328 с
- А.В. Савицкий, В.И. Ткачук, П.Н. Ткачук. ФТП 26, 952 (1992)
- Е.В. Кучис. Методы исследования эффекта Холла. Советское радио, М. (1974). 328 с
- В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Наук. думка, Киев (1988). 424 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук