Вышедшие номера
Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A
Володин В.А.1, Ефремов М.Д.1, Матвиенко Р.С.2, Преображенский В.В.1, Семягин Б.Р.2, Леденцов Н.Н.3, Сошников И.Р.3, Литвинов Д.4, Розенауэр А.4, Герцен Д.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Laboratory of Electron Microscopy, University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 9 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Дихроизм пропускания света (зависимость пропускания от направления поляризации) был обнаружен в гофрированных сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенныx на нанофасетированной поверхности (311)А. Наблюдаемый эффект связывается со структурной анизотропией - формированием массива квантовых проволок GaAs, что было подтверждено данными высокоразрешающей электронной микроскопии. В сверхрешетках GaAs/AlAs, содержащих квантовые проволоки, была обнаружена также поляризационная анизотропия фотолюминесценции, наблюдаемой в желто-красном диапазоне длин волн.