Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Laboratory of Electron Microscopy, University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Laboratory of Electron Microscopy, University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 9 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Дихроизм пропускания света (зависимость пропускания от направления поляризации) был обнаружен в гофрированных сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенныx на нанофасетированной поверхности (311)А. Наблюдаемый эффект связывается со структурной анизотропией - формированием массива квантовых проволок GaAs, что было подтверждено данными высокоразрешающей электронной микроскопии. В сверхрешетках GaAs/AlAs, содержащих квантовые проволоки, была обнаружена также поляризационная анизотропия фотолюминесценции, наблюдаемой в желто-красном диапазоне длин волн.
- N.N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I.P. Soshnikov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zukov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.P. Semyagin, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater. 30, 464 (2001)
- M. Henini, P.A. Crump, P.J. Rodgers. J. Cryst. Growth 150, 446 (1995)
- P.O. Vaccaro, MHirai, K. Fujita, T. Watanabe. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 2221 (1996)
- R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, K. Ploog. U.S. Patent 5, 714, 765 (Issued 3.02.1998, priority 29.01.1991)
- N.N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, G.A. Ljubas, V.V. Bolotov, B.R. Semyagin, V.A. Shchukin, I.P. Soshnikov, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Proc. of SPIE 4656, 33 (2002)
- R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, H. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991)
- M.D. Efremov, V.A. Volodin, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, D.V. Marin, R.S. Matvienko, N.N. Ledentsov, I.P. Soshnikov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen. Physica E 23, 3--4, 461 (2004)
- D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, G.A. Ljubas, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, I.P. Soshnikov. Appl. Phys. Lett. 81, 1080 (2002)
- M.D. Efremov, V.A. Volodin, V.V. Bolotov, V.A. Sachkov, G.A. Lubas, V.V. Preobrazhenski, B.R. Semyagin. Solid State Phenom. 60--70, 507 (1999)
- M. Nakayama, I. Tanaka, I. Kimura. Japan. J. Appl. Phys. 29, 41 (1990)
- L. Geelhaar, J. Marquez, K. Jacobi. Phys. Rev. B 60, 15 890 (1999)
- М.В. Белоусов, В.Л. Беркович, А.О. Гусев, Е.Л. Ивченко, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, А.И. Несвижский. ФТТ 36, 1098 (1994)
- В.А. Володин, М.Д. Ефремов, В.Я. Принц, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, А.О. Говоров. Письма в ЖЭТФ 66, 45 (1997)
- В.А. Володин, М.Д. Ефремов, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Болотов, В.А. Сачков. ФТП 34, 62 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
