Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности структуры металлической фазы, возникающей под действием механической полировки поликристаллических образцов SmS
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности пленки металлической фазы, возникающей при дозированной полировке полупроводниковых поликристаллических образцов Sm1+xS в области гомогенности. Исследованы структурные изменения, возникающие при этом в полупроводниковой фазе. На основании анализа зависимости толщин металлических слоев, образующихся на поверхности образца, от x объяснен механизм влияния на параметры перехода количества избыточных ионов самария. Оценки, проведенные с использованием результатов измерений размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновского излучения в образцах различного состава, позволили объяснить причину стабилизации металлической модификации SmS после прекращения полировки. Возникновение и стабилизация металлической фазы связаны с уменьшением и сохранением размеров ОКР. Работа выполнена при финансовой поддержке ЗАО "Dial Engineering".
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова. В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ. Наука, Л. (1973). 304 с
- Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ш. Лани. ФТТ 39, 3, 577 (1997)
- В.В. Каминский, В.А. Капустин, И.А. Смирнов. ФТТ 22, 12, 3568 (1980)
- А.В. Рябов, Б.И. Смирнов, С.Г. Шульман, Т.Б. Жукова, И.А. Смирнов. ФТТ 19, 9, 1699 (1977)
- Т.Б. Жукова, В.М. Сергеева, С.Г. Шульман, И.А. Смирнов. ФТТ 20, 1, 236 (1978)
- С.В. Погарёв, И.Н. Куликова, Е.В. Гончарова, М.В. Романова, Л.Д. Финкельштейн, Н.Н. Ефремова, Т.Б. Жукова, К.Г. Гарцман, И.А. Смирнов. ФТТ 23, 2, 434 (1981)
- Н.М. Володин, В.В. Каминский. Способ подгонки номинального сопротивления полупроводникового резистора. А. с. N 1311357
- А.В. Голубков, Т.Б. Жукова, В.М. Сергеева. Неорг. материалы 2, 1, 77 (1966)
- А. Гинье. Рентгенография кристаллов. ГИФМЛ, М. (1961). 604 с
- В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев. ФТТ 44, 8, 1501 (2002)
- M.B. Maple, D. Wohlleben. Phys. Rev. Lett. 27, 511 (1971)
- A. Jayaraman, P.D. Deraier, L.D. Longinotti. High Temp.--High Press. 7, 1, 1 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
